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Ar^+激光诱导淀积多晶硅精细线条 被引量：1
1
作者 王英民 李星文 +2 位作者 李保通 娄建中 彭英才 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1992年第1期40-44,共5页
以聚焦的A_r^+激光束诱导多晶硅膜的淀积,在可移动的反应器上实现了宽度小于激光束径的多晶硅精细线条的直接书写。这可以视为VLSI的一种新的布线工艺的雏形。
关键词 激光诱导淀积 多晶硅 精细线条
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激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究
2
作者 张贵银 荆一东 《四川工业学院学报》 2001年第4期66-67,共2页
用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响 。
关键词 激光诱导等离子体化学气相淀积 薄膜面积 淀积速率 薄膜 制备
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以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究 被引量：2
3
作者 胡向洋 汪荣昌 +3 位作者 顾志光 戎瑞芬 邵丙铣 宗祥福 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期211-215,共5页
研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于 10 MPa。
关键词 氮化铝 倒扣封装 化学镀 激光诱导淀积 陶瓷 基板
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陶瓷材料
4
《电子科技文摘》 2001年第12期7-7,共1页
Y2001-62909-358 0120351LGA 型芯片级组件用的 HITCE 陶瓷材料=The appli-cation of HITCE ceramic material for LGA-type chipscale package[会,英]/Maeda,K.& Higashi,M.//2000 IEEE 50th Electromc Components & Technolog... Y2001-62909-358 0120351LGA 型芯片级组件用的 HITCE 陶瓷材料=The appli-cation of HITCE ceramic material for LGA-type chipscale package[会,英]/Maeda,K.& Higashi,M.//2000 IEEE 50th Electromc Components & TechnologyConference.—358～363(PC) 展开更多
关键词 陶瓷材料 氮化铝陶瓷 倒扣封装 两种方法 芯片级 组件 研究与进展 基板 激光诱导淀积 工艺研究
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