InP基片在连续波CO_2激光局域加热时的温度上升特性

采用聚焦连续波 CO2 激光束对 n型 In P基片进行局域加热 ,并利用专用的温度测量系统对 In P基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量 .结果表明 ,在基片初始温度为室温时 ,难以得到满足加工所要求的温度上升 .增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求 ,但温度的稳定性较差 .采用研制的温度控制系统 。