芯片三维集成激光隐形切割技术

随着新一代信息装备内部SiP集成密度不断提升,传统的平面混合集成技术已接近极限,芯片三维集成技术必将成为未来SiP内部集成的主流形态,激光隐形切割技术是芯片三维集成技术的关键技术之一。介绍了激光隐形切割技术在芯片三维集成中的用途。通过传统分片技术与隐形切割技术的比较,阐述了各种晶圆分片工艺的技术特点,对隐形切割的基本原理、改质层的形成机理、切割方法、激光器参数选择做了详细分析。重点介绍了隐形切割技术在GaAs芯片三维集成分片工艺中的典型应用,对有关问题给出了解决方案。

激光隐形切割技术在智能卡领域晶圆切割上的量产应用

随着智能卡产品的不断更新发展,行业普遍应用的金刚刀划片已经不能满足产品加工的需求,激光隐形切割技术已经开始逐步在智能卡领域使用。本文将结合智能卡类产品讲述激光隐形切割技术的量产应用。

大尺寸金刚石晶圆复制技术研究进展

半导体技术的发展离不开大尺寸晶圆的高效制备。在半导体领域,晶圆复制可以通过同质外延生长后进行切割或者基于异质衬底进行异质外延来实现,从而批量生产。金刚石作为新型超宽禁带半导体材料,在电真空器件、高频高功率固态电子器件方面具有良好的应用前景。而由于金刚石材料具有极高硬度,晶圆复制也面临诸多问题。传统的激光切割方法虽然可以实现对超硬特性金刚石进行加工,但其较高的加工损耗已经无法满足大尺寸晶圆的制备需求,亟需开发损耗小、效率高的金刚石晶圆复制技术。文章介绍了目前常见的半导体晶圆复制技术,总结了金刚石复制技术的研究进展及现阶段发展水平,并对未来大尺寸金刚石晶圆复制技术的发展方向进行了分析与展望。

隐形划片技术及其在MEMS制造中的应用

通过传统划片技术与隐形切割的比较,介绍了隐形切割的技术特点;对隐形切割的基本原理、激光波长选择、切割过程中晶圆内改质层的形成机理做了详细分析;重点介绍了隐形切割技术在MEMS器件晶圆划片工艺中典型应用,对有关问题给出了解决方案。

3D NAND FLASH晶圆切割技术原理及其特征分析

3D NAND Flash产品封装工艺中,晶圆切割作为核心工艺之一,目的是将整片晶圆分割成单一芯片,从而为后续上片做准备。随着晶圆越来越薄,当前主流的刀片在切割时,较容易导致芯片损伤、破裂。本文主要通过介绍和展现目前业界先进的晶圆切割技术,包括激光消融切割、隐形激光切割以及等离子体切割,以及这些技术的加工原理和优势,在最后结语中结合3D NAND Flash产品发展趋势,指出了我国业界领先的3D NAND Flash封装厂已经将隐形激光切割技术作为主要的加工工艺之一,同样涌现了诸如苏州镭明、航天三江、长城科技等设备制造商。