激光CVD法制备纳米微粉的流动场模拟

本文简要介绍了采用激光诱导化学气相合成技术制备各种纳米微粉材料的原理及特点 ,建立了描述反应合成室内气体运动的流体动力学模型 ,提出基本假设、公式及质量源和热量源的处理方法 ,通过数值计算得到流动场的模拟结果 。

激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究

采用ＳｎＣｌ４和Ｏ２为反应源，ＡｒＦ准分子激光ＣＶＤ生长ＳｎＯ２薄膜，利用ＸＲＤ、ＵＶＴ、ＸＰＳ研究了薄膜的组成和结构，实验表明ＳｎＯ２薄膜属于四方晶系、金红石结构，薄膜的紫外可见光透射率大于９０％，吸收边波长为３５５ｎｍ，禁带宽度为３．４９ｅＶ。最后。

激光CVD

光CVD作为薄膜气象合成方法之一和热CVD、等离子CVD同样在薄膜生长技术中占有重要位置,近年来,由于准分子激光技术的发展,准分子激光CVD技术适应半导体工艺低温化和加工精细化的要求也迅速地发展起来。本文主要以准分子激光为重点介绍激光CVD的基本原理、目前发展概况及今后的研究课题与展望。

激光CVD制备a-Si∶H/a-SiC∶H多层非晶薄膜的方法及其光学特性研究

介绍利用激光的光化学反应来分解气体制备α-Si:H/α-SiC:H多层非晶薄膜的方法,并对应用XPS等手段测得的这种非晶薄膜的光学特性进行了讨论.

热加工专利：激光CVD设备与激光CVD方法

将提供一种激光CVD设备，该设备能够加强由激光CVD形成的膜与基底的膜的形成面之间的粘连，并且防止膜本身的破裂。该设备包括：等离子预处理单元，其用于通过电弧放电将预处理气体变成等离子状态，并且将等离子状态的气体提供到膜的形成面：以及膜的形成单元，其具有用于密封膜合成气体而与外部大气隔离的装置．还具有用于将激光束辐射到膜合成气体的装置，其中在基底的膜的形成面的上面形成膜。

日本开发出采用激光CVD法的氧化铝涂层低温高速成膜新技术

日本东北大学金属材料研究所和产业技术综合研究所通过激光CVD（化学气相沉积）法使原料等离子化，开发出了在较原来约低400℃的温度下对氧化铝（Al2O3）单晶涂层进行成膜，并将成膜速度提高数10～1000倍的成膜技术。如果将该项研究成果用于刀头可换式等切削工具的硬质氧化铝相涂层中，将有望大幅提高切削工具的寿命，因此吸引了广泛关注。

二氧化碳激光CVD沉积碳膜

运用工业二氧化碳激光在乙炔气氛中进行了碳的激光CVD实验，获得蓝紫色均匀膜，对沉积膜进行了光学显微镜及SEM形貌观察和X射线探针成份分析。

激光合成纳米硅的可见发光

研究了激光ＣＶＤ合成纳米硅（平均粒径为１４ｎｍ）的可见发光特性。用３００－４５０ｎｍ波长激发时，在４００－６５０ｎｍ区间观测到了发射宽峰。首次发现粒径大于１０ｎｍ的纳米硅在室温下具有可见发光，该现象可用量子限制／发光中心模型来作定性解释。

激光化学汽相淀积

1.前言激光OVD(激光化学汽相淀积),作为'支撑半导体产业的一种激光技术,其地位尚未确立。但是由于该法具有图案制作高速化特点,例如作为开发大规模集成电路的一种手段,将不断开拓新的市场,因而其实用研究确已开始。本文介绍有关的实用化研究结果。