Sr_2CeO_4电荷迁移发光的光谱结构规律研究

利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr2 CeO4 ,Sr2 CeO4 ∶Ca2 + 和Sr2 CeO4 ∶Ba2 + 样品 ,并对其光谱特性进行了研究 .结果发现 ,对于由SrO和CeO2 直接反应生成的Sr2 CeO4 (Ⅰ ) ,激发主峰位于 2 5 6nm左右 ;而对于SrCeO3和SrO反应生成的Sr2 CeO4 (Ⅱ ) ,激发主峰位于 2 79nm左右 .在Sr2 CeO4 (Ⅰ )中掺入Ca2 + ,其激发光谱随着Ca2 + 离子浓度的增加逐渐接近于Sr2 CeO4 (Ⅱ )的激发光谱 .激发主峰带应属于CeO6 八面体终端Ce4 + —O2 - 键的电荷迁移带 .对于激发光谱中 340nm左右的弱激发峰 ,其峰值波长不受形成机理及Ca2 + 掺杂的影响 ,只是其强度随着激发主峰的红移而增加 ,它可能属于CeO6 八面体平面上Ce4 + —O2 - 键的电荷迁移带 .形成机理及Ca2 + 掺杂对发射光谱没有影响 .Ca2 + 在Sr2 CeO4 (Ⅱ )与Ba2 + 在Sr2 CeO4 (Ⅰ )和 (Ⅱ )中均难于替代Sr2 + 的位置 .