高激发功率密度与真空条件下的反斯托克斯发光过程

通常上转换机制大体可归纳为三类:1) 基态与激发态的步进吸收过程;2) 掺杂离子间的能量传递型上转换;3) 光子雪崩型上转换,这些跃迁过程都发生在带间掺杂稀土离子的4fN^4fN组态之间。在高激发功率密度与真空条件下,稀土氧化物发生了一类特殊的上转换过程,在激发发射机制上不同于上述已知的上转换形式。光子数拟合和光电导测量结果表明这是一种带隙激发过程,激发过程始于稀土离子基态,经多光子过程到达导带;电子由导带的退激发过程导致了起源于电荷迁移态、带间能级辐射跃迁、激子复合等多种发光过程,加上光致黑体辐射形成了具有多种发光起源的混合反斯托克斯发射,在光谱上表现为宽带连续强发射。因此发光机制是掺杂离子(激发态过程)与基质(带隙激发)体系的整体协同激发发射过程,分立发光与复合发光两类不同的发光机制中的各种形式,都参与了这种特殊的上转换激发发射过程。激发功率密度、激活离子掺杂浓度、样品所处环境的真空度以及基质带隙宽度,是实现这种近红外激发下的反斯托克斯发射的关键实验条件。在功率密度为50 W/cm2的1 W 980 nm近红外激发下,能量转化率可达10%以上,亮度可达100,000 cd/m2,流明效率达到15 lm/W,色度可通过对真空度、激发功率密度及掺杂浓度等实验参数来连续调配。这类特殊的反斯托克斯过程不仅在机制分析和新掺杂体系尝试两方面有大量的理论和实验工作值得深入挖掘拓展,在应用方面还有开发特种需求的高亮度白光点光源,非接触型气压传感器的潜在价值。

激发功率密度和阱层厚度对极化InGaN/GaN多量子阱光致发光性能的影响

用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上生长了具有不同阱层厚度的InGaN/GaN多量子阱结构,研究了阱层厚度和激发功率密度对多量子阱光致发光(PL)性能的影响。结果表明,随着激发功率密度的增加,PL的峰值波长会出现不同程度的蓝移,且阱层越厚,蓝移的越明显。PL的峰值波长随着激发功率密度和阱厚的变化关系可以用光生载流子对极化场的屏蔽效应和带隙填充效应来解释。阱最薄的样品(1.8 nm)由于其极化效应最弱,电致发光谱具有最高的发光强度,但其发光波长较短仅有430 nm。

Laser-induced etching parameters impact on optical properties of the silicon nanostructures

Porous silicon (PS) was fabricated by laser-induced etching (LIE) process. The objective of this study is to investigate the selected LIE parameters to control size and shape of nanostructures,which are considered important factors in semiconductor device applications. Photoluminescence output intensity becomes stronger due to the increase in the number of emitted photons on the porous surface. There is a dramatic increase in photoluminescence intensity due to the increase of porosity as a function of laser power density. The increase in electrolyte concentration is an important parameter to accelerate the dissolution reaction on the interface layer between the electrolyte solution and wafer surface. PS spectra displayed a stronger Raman intensity than crystalline bulk Si;also the PS spectrum was shifted and broadened as a function of LIE parameters.