1000kV交流输电线路的故障激发过电压研究

在简述1000kV特高压输电线路故障激发过电压的基础上,研究了国家电网公司规划建设的晋东南-南阳-荆门单回百万伏级输变电工程在线路上单相或多相接地或相间故障引起的过电压和故障切除时的过电压两种情况下由故障激发的操作过电压,并提出了包括沿线装设氧化锌避雷器、使用可控并联电抗器以及装设并联开关电阻等限制故障过电压水平的措施。仿真计算表明,并联电抗器补偿容量越大,故障激发过电压越低;而仅在线路两端装设避雷器可在一定程度上降低单相重合闸故障引起的过电压,但过电压水平仍然比较高,还需要进一步采取措施;如同时使用并联合闸电阻和氧化锌避雷器,则能明显限制故障激发过电压的水平。

沿线多组避雷器深度限制特高压操作过电压

为解决深度限制特高压操作过电压水平,以我国即将建设的晋城—南阳—荆州1000kV线路工程为背景,结合国外对操作过电压水平的研究,利用电磁暂态计算程序PSCAD/EMTDC分别计算了沿线装设多组避雷器对三相合空线、单相自动重合闸以及故障激发等操作过电压的限制效果;研究了沿线装设多组避雷器深度限制操作过电压。计算表明,如果不装沿线避雷器,三相合空线、单相自动重合闸以及故障激发操作过电压最大值分别为1.83、1.83和1.53p.u.,而采用沿线装多组避雷器的方法可将上述3种特高压系统操作过电压抑制到<1.5p.u.。另外,随着避雷器组数的增加,通过避雷器的总能量增加,但单个避雷器的通流容量下降。

四极质谱仪中偶极辅助四极激发仿真研究

通过理论分析和模拟仿真,研究了提高四极质谱仪分辨率的新方法。在主射频电场上附加偶极辅助四极激发电场,使得四极质谱的第一稳定区分裂成岛状,第一稳定区尖端附近连续弹射出多余离子,从而避免出现多个峰。新的稳定区域稳定性更好,提高了四极质谱仪的分辨率和质量分离速率。使用MATLAB软件开展了离子运动轨迹的仿真计算,研究偶极辅助四极激发对稳定区变化以及模拟相关参数对通过率、分辨率及峰形的影响。通过理论分析、模拟仿真计算发现,该方法不需要对机械结构进行改造,只需对控制电路进行一定程度的设计,可以有效提高四极质谱仪的性能。

750kV吐哈Ⅰ线合于单相永久性接地故障跳闸引起的过电压分析

750kV吐哈Ⅰ线在降压运行期间,发生一起合闸于单相永久性接地故障的事故。本文应用电磁仿真软件(EMTPE)分析了跳闸后的吐鲁番侧电压变化情况,对于出现的过电压现象从仿真计算和实测结果进行了验证。

基于兰姆波在非压电基板驱动油滴运动的实验

研究了压电陶瓷激发的兰姆波在钢板上对油滴运动的影响,通过分析油滴在钢板表面的运动方程得到影响驱动油滴运动位移的3个变量,从激发电压、油滴体积、基板倾角3种不同的条件研究兰姆波对油滴的推动效果。实验表明,当激发电压和油滴体积一定时,兰姆波驱动油滴的运动位移随着基板倾角的增加而增大,且这一特征在油滴为10μL时最明显;当基板倾角和油滴体积一定时,油滴运动位移随激发电压的增加而增加,在斜面上油滴位移大于平面油滴位移;当基板倾角和激发电压一定时,油滴体积越大,其所受兰姆波的驱动力越大,运动位移就越大,30μL的油滴所受驱动影响更明显,运动位移大于10μL和20μL油滴。

Transient photovoltage and photoluminescence study of exciton dissociation at indium tin oxide/pentacene interface

The exciton dissociation at ITO/pentacene interface is studied by means of transient photovoltage measurement.Opposite to ITO/NPB,ITO/CuPc or ITO/C60 interface where polarity change of transient photovoltage is observed,no interfacial dissociation is found at room temperature,which indicates a lack of Frenkel excitons in pentacene.Temperature-dependent photoluminescence (PL) is investigated.More like the behavior of inorganic semiconductors,the integrated PL intensity exhibits monotonic decrease with increasing temperature.A nonradiative path with characteristic activation energy of 8 meV is found to dominate at room temperature.The PL measurement also indicates that like in inorganic semiconductors,other types of excitation,for example,free carriers,could be responsible for the photoelectric processes.