本征热激发载流子浓度与漏电流

叙述了本征热激发载流子浓度对功率半导体器件的重大影响,希望得到一个理论符合实际的定量计算公式。比较国内外权威的本征热激发载流子浓度公式,经过计算并与晶闸管、整流管漏电流的实测数据相比较,初步认定S K Ghandhi给出的本征热激发载流子浓度公式可以作为适用于功率半导体器件的简明公式,并进行了适当的理论说明及公式意义的阐述。

具有组分梯度的HgCdTe探测器在激光测量中的潜在应用

该文将组分梯度引入HgCdTe探测器结构设计中,提出了一种可以降低PN结附近热激发载流子浓度的方法。建立暗电流机制模型,分析高温下暗电流成份,分析结果表明,降低热激发载流子浓度对结区的影响是提高器件工作温度的关键。利用组分梯度在PN结附近构建不同的电场,不同电场下样品暗电流和噪声电流随温度的变化曲线表明,构建的电场越强,降低结区附近热激发载流子浓度的效果越明显。通过数据分析,提出构建103 V/cm量级的组分梯度内建电场可抑制热激发载流子向结区的扩散运动,有效地降低结区附近热激发载流子浓度。

光导型碲镉汞探测器在波段外连续激光辐照下的载流子输运

利用连续波段外激光辐照光导型碲镉汞探测器.实验表明,探测器对波段外激光有响应,且存在一个特定拐点温度T0.当探测器温度T<T0时,响应电压随温度升高而增大;当T>T0时,响应电压随温度的升高而减小.研究表明,探测器胶层的热瓶颈作用会导致响应电压存在两个响应时间尺度,拐点温度由芯片掺杂浓度决定.当T<T0时,响应电压主要由随温度变化的载流子迁移率决定;当T>T0时,响应电压主要受热激发载流子的影响.

几种典型含能材料光激发解离的含时密度泛函理论研究

硝基类炸药作为主要的含能材料在极端条件下引爆可释放巨大能量,深入研究硝基类炸药光激发后的载流子动力学过程,将有助于揭示含能材料复杂的超快爆轰物理机制.本文利用含时密度泛函理论和分子动力学计算方法,研究了典型的硝基类炸药,包括硝基甲烷(NM)、环三亚甲基三硝胺(RDX)和三氨基三硝基苯(TATB)分子的光激发解离过程,观察了含能分子瞬时的结构变化和分子能级随时间的演化过程.结果显示,含能分子在200 fs范围内发生解离,激发载流子的能量通过电声耦合以热能的形式传输给原子,从而导致C-H,N-H或N-N化学键的断裂,从甲基、亚甲基或氨基中解离出的氢原子会与近邻的硝基形成新的基团.在这一过程中,激发电子和空穴附近的能级也随着时间演化发生明显变化,表明电子耦合也在解离过程中发挥了作用.我们的研究加深了含能材料激发态结构弛豫和激发能级演化的认识,并对光诱导反应及含能材料激光点火初始步骤提供了新的理解.

再议PiN器件的极限雪崩电压

叙述了国内外对PiN器件雪崩电压理论极限的论述，详细说明了用ni=ND作为判定PiN器件雪崩电压理论极限依据的合理性。进而说明了这一研究的重要意义。

再议PiN器件的极限雪崩电压

叙述了国内外对PiN器件雪崩电压理论极限的论述，详细说明了用ni=ND作为判定PiN器件雪崩电压理论极限依据的合理性。进而说明了这一研究的重要意义。

双光束组合激光辐照光导型CdS光电探测器的实验研究

为研究波段内和波段外组合激光对光导型光电探测器的辐照效应,实验采用532nm(波段内)和1319nm(波段外)双光束组合连续激光辐照光导型CdS光电探测器,分别改变两束激光的辐照功率,得到探测器的电压响应曲线。实验结果表明,光电探测器对波段内和波段外激光都有响应,但在激光开始和停止辐照瞬间探测器对两束激光的响应电压刚好相反。探测器对波段外激光的电压响应随线性工作区间内的波段内激光功率升高而增大;随着波段内激光趋于饱和,对波段外激光的响应电压近似指数级下降。分析认为,光电探测器对波段外激光的响应为光激发热载流子效应,是由自由载流子吸收激光能量产生带内跃迁引起的;波段内激光辐照影响探测器对波段外激光的吸收系数。