ZnSe薄膜的激子光谱

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .

基于GW+BSE第一性原理PDP保护层材料Mg_(1-x)Zn_xO激子光谱研究

Mg O薄膜被认为是等离子体显示器件中介质保护膜的最理想材料。本文基于密度泛函理论的第一性原理,研究了掺锌Mg O保护层材料的特性。通过计算不同掺锌浓度下Mg1-xZnxO复合材料的电子结构,分析相应的能带结构和波态密度分布,并在此基础上通过求解Bethe-Salpeter方程计算相应的动态介电函数,以及激子光谱,激子谐振强度和激子束缚能。结果表明:随着掺锌浓度的增加,Mg1-xZnxO复合材料的禁带宽度和激子束缚能均逐渐减小,激子光谱发生红移。说明Mg O掺杂锌后一方面有利于提高保护层材料的二次电子发射效率降低其着火电压;另一方面有利于提高外逸电子发射,减小等离子体显示器件的寻址jitter,从而增强放电的稳定性。

ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．

CdS单晶的激子发射与激光

本文报导材料中的杂质与缺陷对 CdS 单晶的光致发光(PL)中激子光谱的影响。发现自由激子 Ex 及其声子伴线Ex—LO,Ex—2LO 的发射强度随 CdS 的纯度提高而增加。在 N_2激光器337.1nm 线激发下 CdS 单晶的受激发射和激光起源于 P 带。用天然解理面作谐振腔制成激光器,在337.1nm 光的泵浦下可以获得波长为495.4nm 的激光输出,其半高宽(FWHM)1.3nm,阈值激发密度0.8MW/cm^2。

MgO表面的第一性原理研究

MgO薄膜被认为是等离子体显示器件中介质保护膜的最理想材料。本文基于第一性原理的密度泛函理论,结合格林函数G和动力学屏蔽库仑相互作用W纠正和Bethe-Salpeter方程的求解,研究了MgO不同晶面取向表面结构的电子特性和光谱特性。在分析不同晶面取向表面能带结构、态密度分布的基础上,估算了相应的二次电子发射系数。结果表明:(100)、(110)和(111)三种晶面取向,(100)禁带宽度最小,二次电子发射系数最大。而(111)晶面吸附氢原子后,禁带宽度显著减小,二次电子发射系数优于(100)晶面,是高Xe、高气压工作气体下等离子体显示器介质保护层材料MgO的优选取向。激子光谱计算结果表明,MgO表面有强激子效应,有利于外电子发射。合理选择MgO晶面取向,可有效提高等离子体显示器放电效率、降低其着火电压,减小Jitter时间。