Cu_2O纳米线激子精细结构光谱分析

基于显微拉曼光谱仪研究比较单根与多根Cu_2O纳米线荧光光谱特性,通过详细分析显微荧光谱线信息,研究制备得到的Cu_2O纳米线的精细结构。单根Cu_2O纳米线表现出高能激子发射及其高阶声子辅助的光学跃迁谱线。

电场调谐InAs量子点激子精细结构劈裂

在低温5K下,采用光致发光光谱及外加偏压调谐InAs量子点激子精细结构劈裂,研究了不同量子点激子的精细结构劈裂值大小,以及垂直电场有效地调谐激子的精细结构劈裂.对于具有较小精细结构劈裂的量子点样品,外加偏压可以使其精细结构劈裂值减小到小于激子的本征光谱宽度,从而实现基于单双激子纠缠态的制备.

CdSe和CdSe/ZnS半导体量子点光谱特性的研究

利用X射线衍射谱(XRD)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、荧光光谱(PL)系统地研究了不同表面、多种尺寸的CdSe半导体量子点(QDs)的光学性质.结果显示表面修饰完善的样品的荧光光谱只有一个窄而强的带边发射;所有样品的荧光峰相对于1S-1S吸收峰有较大的红移,并且移动量随尺寸的减小而增加,利用激子的精细结构模型很好地解释了红移量和尺寸的关系;核/壳结构的样品的吸收峰和荧光峰相对于同尺寸的单量子点也有红移现象,这是由于CdSe和ZnS的晶格失配在界面上产生压力造成的.