数学手账:小学生学力生长“深度激活”路径

小学生的数学学习注重自我反思能力、自主探究能力、自行觉醒能力及自由独创能力四个学力要素。以梳理型"愿学手账"、体验型"慧学手账"、研究型"智学手账"、创新型"善学手账"为载体,能引导学生在数学学习中成为一名"眼中有光、手中有思、胸中有问、心中有爱"的愿学者、慧学者、智学者、善学者。

Ni-Te系统的扩散激活能和扩散系数研究

在Ni基底上电镀Te薄膜,然后在不同温度下对样品进行相同时间的真空热处理,经室温拉断后测得样品沿晶界断裂深度x。通过拟合ln(x2/t)与1/T的线性关系求出扩散激活能,得出中低温段Te在纯Ni中的晶界扩散系数,并对实验结果和计算进行了讨论。结果表明,在Ni表面镀Te条件下,随温度的升高,Ni的抗拉强度及延伸率急剧下降,试样断口上的沿晶断裂深度逐渐增大;计算得出Te沿纯Ni晶界扩散的激活能为152 kJ/mol,并得出在500℃到1 000℃之间的扩散系数表达式为:D=0.83×10-2exp(-18 360/T)cm2/s。

硅晶圆中注入4.8MeV磷的激光退火激活

对激活硅(Si)晶圆中高能注入磷(P)的激光退火方法展开研究。采用的P离子注入能量为4.8 MeV,在Si中的注入深度可达6μm。分别采用单绿激光(515 nm)、绿激光(515 nm)加红外激光(808 nm)以及单红外激光(808 nm)退火。结果显示,含绿激光退火方法会导致被辐照的Si表面熔融,单绿激光退火的激活深度只有0.5μm,而辅以红外激光激活深度明显增加,整个注入深度内的杂质均可被激活,激活深度至少6μm。而采用单红外激光退火的样品,同样可以激活整个注入深度内的杂质,同时还能保持样品表面形貌不变。这主要是因为红外激光在Si中透射深度较大,退火导致的温度场在材料内部的梯度较小,可以在不引起样品表面熔融的情况下实现更大的激活深度,因此红外激光是深注入杂质激活的首选。

基于Microstation三维基础地理数据采集的关键技术的探讨

本文依据生产中遇到的问题，剖析了Microstation的三维作业环境下存在的问题，同时提出解决方法。