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硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长 被引量：4
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作者 吴远大 张乐天 +4 位作者 邢华 李爱武 郑伟 刘国范 张玉书 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期195-198,共4页
采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO2 厚膜材料 ,材料膜厚达到 4 0 μm以上 ,生长速率达8μm/min .然后将该材料分别在真空中 /空气气氛中高温致密化处理 ,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料 ,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜... 采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO2 厚膜材料 ,材料膜厚达到 4 0 μm以上 ,生长速率达8μm/min .然后将该材料分别在真空中 /空气气氛中高温致密化处理 ,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料 ,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜材料 .并利用XRD、电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行了测试分析 . 展开更多
关键词 火焰水解法(fhd) 厚膜 玻璃态 致密化
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