射频磁控溅射沉积AZO透明导电膜研究

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,应用灰关联-田口实验法设计了L9(34)混合直交表,研究了制程工艺对薄膜沉积速率、电阻率、光穿透率、结晶性的影响。结果表明沉积薄膜的最佳制程参数为射频功率120 W、溅射压强2 Pa、靶材-基板距离8.5 cm、薄膜沉积时间90 min;实验显示最佳制程参数下所得透明导电薄膜沉积速率为8.04 nm/min,电阻率为2.6×10–3.cm,可见光穿透率维持在84%左右。

TC4放电加工最佳化参数研究

采用电火花放电加工TC4合金,应用灰关联-田口实验法设计L9(34)混合直交表,研究放电工艺对加工质量的影响,结果获得放电加工最佳工艺参数:放电电流3 A、开路电压180 V、脉冲时间200μs、冲击因子65%。实验显示工件材料去除率为0.680 mg/min,表面粗糙度1.884μm。