光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作

随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究，并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作，在普通光学光刻机上制作出宽度小于０．２５μｍ细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的制作中。

关于多孔MSQ Dual Damascene蚀刻/灰化工艺——为更低损伤和更低k值的多方面损伤评价和化学性质优化

对铜(Cu)互连系统使用低k值材料时,应解决的许多相关问题不仅有技术问题,而且有所有权成本(CoO)?质量合格(CoC)问题。从蚀刻和灰化(去除)工艺的角度报道了几种问题的解决方法。对蚀刻工艺,将在此推荐Via1st的Duo248TM方法(Duo248TM是Honeywell公司的材料,包含US专利#6,268,457)。对于灰化工艺,建议混合灰化工艺(HybridAshing),即蚀刻和灰化工艺在同一反应室连续进行。这些方法的目标将是65nm以下工艺。

光刻胶灰化技术用于同步辐射闪耀光栅制作

在分析光刻胶光栅浮雕图形缺陷成因的基础上 ,首次将光刻胶灰化工艺引入到全息 离子束刻蚀制作闪耀光栅工艺中 ,并成功地为国家同步辐射实验室光化学站制作了 1 2 0 0 1 /mm ,闪耀波长为 1 30nm的锯齿槽形光栅。测试结果表明光刻胶灰化处理对制作大面积优质的光刻胶光栅非常有效和实用。

高性能42nm栅长CMOS器件

研究了20～50nmCMOS器件结构及其关键工艺技术，采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器。在电源电压VDD为±1．5V下，NMOS和PMOS的饱和驱动电流，I∞分别为745μA／μm和-530μA／μm，相应的关态漏电流Ioff分别为3．5nA／μm和-15nA／μm。NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV／Dec和34mV／V，PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mY／Dec和j7mV／V。栅长为48nm的CMOS57级环形振荡器，在1．5V电源电压下每级延迟为19．9ps。

微细加工技术与设备

TN305.2 99042750液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶=Nano—crystallinecarbon nitrides prepared by laser ablatingsolid target in liquid[刊,中]/刘秋香,王金斌,杨国伟(湘潭大学现代物理研究所.湖南,湘潭(411105))//微细加工技术.—1998,(2).