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相变存储器预充电读出方法
1
作者
雷宇
陈后鹏
+3 位作者
王倩
李喜
胡佳俊
宋志棠
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期531-536,568,共7页
分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地...
分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压,第二参考电压为读取最低非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压.采用SMIC 40nm CMOS工艺进行设计和仿真,1-Mb相变存储器的随机读取时间为6.64ns;Monte Carlo仿真表明,最长随机读取时间为9.07ns.传统读出方法的随机读取时间和最长随机读取时间分别为45.36ns和128.1ns.晶态单元读电流是4.84μA.仿真结果表明,所提方法比传统方法能更好地抑制工艺角、电源电压和温度波动.
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关键词
相变存储器(PCM)
预充电
读出电路
随机读取时间
灵敏
放大器
(
sa
)
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职称材料
题名
相变存储器预充电读出方法
1
作者
雷宇
陈后鹏
王倩
李喜
胡佳俊
宋志棠
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期531-536,568,共7页
基金
中国科学院战略性先导科技专项资助项目(XDA09020402)
国家集成电路重大专项资助项目(2009ZX02023-003)
文摘
分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压,第二参考电压为读取最低非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压.采用SMIC 40nm CMOS工艺进行设计和仿真,1-Mb相变存储器的随机读取时间为6.64ns;Monte Carlo仿真表明,最长随机读取时间为9.07ns.传统读出方法的随机读取时间和最长随机读取时间分别为45.36ns和128.1ns.晶态单元读电流是4.84μA.仿真结果表明,所提方法比传统方法能更好地抑制工艺角、电源电压和温度波动.
关键词
相变存储器(PCM)
预充电
读出电路
随机读取时间
灵敏
放大器
(
sa
)
Keywords
phase change memory
pre-charge scheme
readout circuit
read access time
sense amplifier
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
相变存储器预充电读出方法
雷宇
陈后鹏
王倩
李喜
胡佳俊
宋志棠
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
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