低熔点三苯二炔类液晶合成及高频介电性能

液晶微波通信器件所用的液晶材料都是高双折射率(Δn)液晶化合物组合而成,这些化合物的熔点大多较高,使得液晶组合物的低温共熔点较高,不利于微波通信器件的发展。本文合成了8种侧乙基三苯二炔类液晶化合物,将其按照一定的比例配置成低温共熔点在-46℃的液晶组合物MA,并以此为液晶母体,将其与另外几种液晶混合,采用矩形谐振腔微扰法测试液晶组合物在微波频段(11~35 GHz)的介电性能,得到了在18 GHz时的介电常数值(Δεr)为0.954,最大介电损耗(tanδεr max)为0.0086,可满足微波用低熔点液晶材料的性能要求。

含氟三苯二炔类液晶化合物合成及其性质研究

目前,越来越多的液晶应用要求向列相液晶材料具有高双折射率性能。本文合成了5个高双折射率含氟三苯二炔类液晶化合物(Ⅳ),经过IR,1 H NMR,13 C NMR谱图鉴定,这些化合物的分子结构完全正确;通过DSC和POM对其液晶相态测试的实验结果表明该类液晶化合物具有较低的熔点和相对较宽的向列相温度范围(达到100℃左右);对其折光率测试结果表明这些液晶化合物的双折射率(Δn)值在0.47以上,改善液晶光学性能。

侧位含氟苯乙炔类液晶化合物的微波介电性能

近年来基于液晶材料的微波通信器件研究发展迅速,液晶材料的介电损耗成为制约微波器件发展的瓶颈,然而目前对微波用液晶材料性能报道较少。本文以低熔点高双折射侧位含氟苯乙炔类液晶作为研究对象,将其按一定比例掺杂到母体液晶MA中,采用矩形谐振腔微扰法测试所选液晶化合物在微波频段(10~30 GHz)下的介电性能,探讨分子结构对微波频段液晶介电性能的影响作用。实验结果表明在高频时的液晶介电各向异性与分子极性和双折射率相关,侧位含氟苯乙炔类和端基异硫氰基苯乙炔类液晶化合物均具有较大的介电各向异性(Δεr>0.85);对于具有较高双折射率的对称含氟三苯二炔类和三苯乙炔异硫氰基类液晶化合物表现出较低的介电损耗(tanδεr⊥<8.0×10-3,18 GHz),而异硫氰基的含氟二苯乙炔类和不对称含氟三苯二炔类液晶化合物则表现出较高的介电损耗(tanδεr⊥>8.0×10-3,18 GHz)。