点阴极下金属电沉积过程枝晶二维生长的计算机模拟

将分形几何与电化学相结合,通过改进的DLA模型,使用计算机对金属在以点电极作为阴极进行电沉积时生成沉积产物的形貌进行了模拟,对不同离子沉积速度、沉积过程中不同阶段以及使用不同形状点阴极时生成沉积产物的形貌进行了比较,并从分形维数的角度对模拟结果之间存在的差异进行了比较、说明。

多点阴极保护技术的研究与应用

随着油田开发时间的延长,埋地管线的防腐涂层老化破坏日趋严重,导致实施阴极保护的管线的保护率不能达到100%,为此本文研究和开发了多点保护技术,并在大港油田集输管线和支线上推广应用,经保护电位的测试结果表明保护效果比较明显,并取得了较好的经济交益。

点阴极电场辅助阳极连接的等效电路法

电场辅助阳极连接技术已成为微电子器件领域最常用的连接方法之一 ,但目前对这一技术的物理和化学机制还不十分清楚 ,有关的研究文章也较少 ,深入理解电场辅助阳极连接过程的机制将有助于完善该技术。为此 ,本文用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应 ,计算了连接电流、连接孕育期和紧密接触面积。计入了电场辅助连接中玻璃厚度的影响 ,改进了Anthony的结果 ,并得出孕育期表达式。本文结果表明 ,连接初期电流迅速衰减 ,随后缓慢变小 ,直至某一稳定值 ;电场辅助阳极连接过程初始一般都存在一个孕育期 ,孕育期随温度上升指数下降 ,连接温度高时 ,孕育期将难以观察到 ;待连接表面之间紧密接触是实现电场辅助阳极连接的关键 ,紧密接触面积随时间延长而非线性扩展 ,紧密接触区域增大时 ,其边界向外推进速度愈来愈小 ,而接触面积增加渐快 。

点阴极电场辅助阳极连接中的紧密接触面积和电流

用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应 ,计算了连接电流、连接孕育期和紧密接触面积。本文结果表明 ,连接初期电流迅速衰减 ,随后缓慢变小 ,直至某一稳定值 ;孕育期随温度上升指数下降 ,连接温度高时 ,孕育期将难以观察到 ;待连接表面之间紧密接触面积随时间延长而非线性扩展 ,紧密接触区域增大时 ,其边界向外推进速度渐小 。

半导体放电管的短路点设计

本文主要讨论了电话系统抗电涌防护装置中半导体放电管的阴极短路点设计方法。

阴级短路点结构的快速软恢复整流管

分析了具有阴极短路点结构的快速软恢复整流管的反向恢复过程，讨论了Ｎ区中设置Ｐ＋短路点使反向恢复时间明显缩短的物理过程；指出重金属铂在Ｎ区中的优化分布使反向恢复电流呈现软特性，实现通态下的低压降、小反向漏电流和快速软恢复特性。

真空沿面闪络全局模型与数值仿真综述

数值模拟技术广泛应用于真空沿面闪络机理及其抑制的研究中。文章回顾总结了真空沿面闪络全局模型与数值仿真所涉及的物理过程、常用建模方法、技术难点以及相应解决手段,并对真空闪络数值仿真的后续发展进行了讨论。首先介绍了基于二次电子发射雪崩理论的真空闪络全局模型,详细分析阴极三结合点处电子发射、介质表面二次电子倍增、介质表面气体解吸附以及最终沿面等离子体形成所包含的各物理过程,并按照闪络起始、发展和击穿,分3阶段介绍了对应粒子仿真所采用的建模理论、算法细节与仿真研究所得结果,主要包括阴极三结合点场致电子发射、介质二次电子发射、解吸附气体输运、电子−中性粒子碰撞等物理过程。文章随后回顾了基于全局模型的真空闪络抑制方法,主要包括通过电场优化降低场致发射,构造阻碍二次电子崩发展的表面微结构,以及抑制介质气体解吸附,并讨论了数值仿真在闪络抑制手段验证、开发中的重要作用。最后针对性地对其它非粒子模拟的分阶段闪络建模方法及其后续发展进行了讨论,包括动理学模型、流体模型、混合仿真模型以及体内体表联合模型。

阳极键合电流模型的实验研究

随着近年来MEMS-CAD的迅速发展,阳极键合技术作为MEMS领域的基础工艺,其模拟仿真受到了重视.本文分析现有的阳极键合电流模型产生偏差的原因,在实验基础上,给出一组定量模拟平面电极键合电流的公式.结合点电极键合的扩展模型,提出点电极键合电流的计算方法.实验证明这种方法给出的模拟公式实际反映了点电极键合电流的变化规律.

VEHICLE SEGMENTATION AND SHADOW HANDLER BASED ON EXTREMUM IMAGE

The shadows similar to the vehicle and the spots caused by vehicle lamps need to be accurately detected in the vehicle segmentation involved in the video-based traffic parameter measurement. Generally, the road surface is different from the vehicle surface in the gray-level architecture. An invariant gray-level architecture-the extremum image in the changing illumination environment is derived and a novel algorithm is presented for detecting shadows and spots. The gray-level structure that is not sensitive to the illumination is employed in the algorithm and the road surface mistaken as vehicles can be removed.

基体预处理对稀土转化膜耐蚀性能的影响

为了优化转化膜的预处理工艺和耐蚀性能,选用不同的预处理工艺制备了系列转化膜。通过盐雾实验评价了预处理工艺对转化膜耐蚀性能的影响,获得两种较优工艺(4#和8#)。采用动态极化曲线和电化学阻抗谱方法研究了经4#和8#预处理后转化膜在3.5%(质量分数)NaCl溶液中耐腐蚀性能的变化;借助扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)和润湿角测试仪,系统研究了4#和8#预处理工艺对成膜前后表面的形貌、成分和润湿性的影响;利用涡流测厚仪、显微硬度计和摩擦磨损试验机研究了4#和8#预处理工艺对转化膜生长速度、表面硬度和耐磨性的影响。结果表明,较佳的预处理工艺使铝合金表面阴极点适当暴露分布均匀、润湿性好、成膜速度适中,生成的转化膜致密完整、膜层更厚,耐蚀性更好;研究显示8#是较佳预处理工艺。

纳秒脉冲圆台形绝缘体真空沿面闪络特性实验研究

实验研究了纳秒脉冲(10／30ns)下圆台形绝缘体真空绝缘沿面闪络特性,结果表明锥角变化对闪络电压影响显著,45°锥角时闪络电压最高。与圆柱形绝缘体相比,脉冲电压下,±45°圆台形绝缘体闪络电压增幅较大,且脉宽越窄,增幅越大;直流和交流电压波形下,圆台形闪络电压增幅较小。分析认为,45°锥角时阴极三结合点处电场减弱幅度最大,初始场致发射电子数量受到抑制,电子沿绝缘体表面的倍增过程较难实现。预闪络期间直流、交流电压下正离子有时间积累起足够多的能量参与碰撞电离。而纳秒脉冲闪络过程中正离子数纳秒时间内积累起的能量非常有限,作用忽略不计。闪络电压与电压随时间的上升速率有关,纳秒脉冲电压上升速率极快,对应放电时延的电压增幅较大,因此纳秒脉冲闪络电压高于其它电压波形。

纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络机理研究

汇总了纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络实验研究结果,实验表明,不同电压波形作用下闪络场强存在较大差异,纳秒脉冲闪络场强显著高于其它电压波形。分析认为纳秒脉冲闪络是一个不断向平衡状态逼近的过程,基于电子激励解吸附原理的二次电子崩理论(SEEA)适用于分析纳秒脉冲真空闪络问题。在纳秒脉冲闪络发生的微观过程中,阴极三结合点场致电子发射是真空闪络发生的必要条件,二次电子崩过程是闪络发展的必备环节,闪络过程在绝缘体表面脱附气体层中完成。