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PC输出点烧毁的应急处理办法
1
作者
魏孝治
《电世界》
2002年第9期30-30,共1页
关键词
PC输出
点
烧毁
应急处理
可编程序控制器
下载PDF
职称材料
双极晶体管负载瞬态辐照毁伤效应
被引量:
3
2
作者
赵墨
胡淑玲
+5 位作者
申胜平
吴伟
程引会
李进玺
马良
郭景海
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期248-252,共5页
利用有源传输线模型与漂移-扩散模型的耦合计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型N+-p-n-N+结构的双极晶体管负载的毁伤效应与规律进行研究,通过分析双极晶体管内部晶格温度分布,判定是否处于毁伤状态,总结双极晶体管烧毁时间和烧...
利用有源传输线模型与漂移-扩散模型的耦合计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型N+-p-n-N+结构的双极晶体管负载的毁伤效应与规律进行研究,通过分析双极晶体管内部晶格温度分布,判定是否处于毁伤状态,总结双极晶体管烧毁时间和烧毁所需能量与脉冲X射线脉冲宽度和注量之间的关系。结果表明:随着脉冲X射线脉宽增加,双极晶体管烧毁能量变化较小,烧毁时间逐渐增加;随着注量增加,烧毁时间逐渐降低,在5.86J/cm2以下时,烧毁所需能量基本相同,之后呈指数逐渐增加,并通过曲线拟合得到损伤规律的经验公式。
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关键词
双极晶体管
毁伤效应
脉宽
注量
烧毁点
下载PDF
职称材料
基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理
被引量:
11
3
作者
任兴荣
柴常春
+3 位作者
马振洋
杨银堂
乔丽萍
史春蕾
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期464-469,共6页
建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真.结果表明,BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化,低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致,烧...
建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真.结果表明,BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化,低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致,烧毁点位于发射结柱面区;而在高脉冲幅度下,由基区-外延层-衬底组成的p-n-n+二极管发生二次击穿导致靠近发射极一侧的基极边缘率先烧毁;BJT的烧毁时间随脉冲幅度升高而减小,而损伤能量则随之呈现减小-增大-减小的变化趋势,因而存在一个极小值和一个极大值.仿真与实验结果的比较表明,本文建立的晶体管模型不但能预测强电磁脉冲作用下BJT内部烧毁发生的位置,而且能够得到损伤能量.
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关键词
双极晶体管
强电磁脉冲
烧毁点
位置
损伤能量
原文传递
题名
PC输出点烧毁的应急处理办法
1
作者
魏孝治
机构
郑州钢铁厂水电公司
出处
《电世界》
2002年第9期30-30,共1页
关键词
PC输出
点
烧毁
应急处理
可编程序控制器
分类号
TM571.61 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
双极晶体管负载瞬态辐照毁伤效应
被引量:
3
2
作者
赵墨
胡淑玲
申胜平
吴伟
程引会
李进玺
马良
郭景海
机构
航天航空学院强度与振动国家重点实验室(西安交通大学)
西北核技术研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期248-252,共5页
基金
装备预研基金项目
文摘
利用有源传输线模型与漂移-扩散模型的耦合计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型N+-p-n-N+结构的双极晶体管负载的毁伤效应与规律进行研究,通过分析双极晶体管内部晶格温度分布,判定是否处于毁伤状态,总结双极晶体管烧毁时间和烧毁所需能量与脉冲X射线脉冲宽度和注量之间的关系。结果表明:随着脉冲X射线脉宽增加,双极晶体管烧毁能量变化较小,烧毁时间逐渐增加;随着注量增加,烧毁时间逐渐降低,在5.86J/cm2以下时,烧毁所需能量基本相同,之后呈指数逐渐增加,并通过曲线拟合得到损伤规律的经验公式。
关键词
双极晶体管
毁伤效应
脉宽
注量
烧毁点
Keywords
bipolar transistor
damage effect
pulse width
fluence
burnout point
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理
被引量:
11
3
作者
任兴荣
柴常春
马振洋
杨银堂
乔丽萍
史春蕾
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期464-469,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:60776034)资助的课题~~
文摘
建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真.结果表明,BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化,低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致,烧毁点位于发射结柱面区;而在高脉冲幅度下,由基区-外延层-衬底组成的p-n-n+二极管发生二次击穿导致靠近发射极一侧的基极边缘率先烧毁;BJT的烧毁时间随脉冲幅度升高而减小,而损伤能量则随之呈现减小-增大-减小的变化趋势,因而存在一个极小值和一个极大值.仿真与实验结果的比较表明,本文建立的晶体管模型不但能预测强电磁脉冲作用下BJT内部烧毁发生的位置,而且能够得到损伤能量.
关键词
双极晶体管
强电磁脉冲
烧毁点
位置
损伤能量
Keywords
bipolar transistor intense electromagnetic pulse damage location damage energy
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PC输出点烧毁的应急处理办法
魏孝治
《电世界》
2002
0
下载PDF
职称材料
2
双极晶体管负载瞬态辐照毁伤效应
赵墨
胡淑玲
申胜平
吴伟
程引会
李进玺
马良
郭景海
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
下载PDF
职称材料
3
基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理
任兴荣
柴常春
马振洋
杨银堂
乔丽萍
史春蕾
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
11
原文传递
已选择
0
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