HFCVD法制备SiC薄膜工艺

分析研究了热丝化学汽相沉积 (HFCVD)法工艺参数的变化对 Si C薄膜质量的影响。结果表明 ,合理的选取工艺参数 ,可在较低温度 (70 0～ 90 0℃ )下 ,沿 Si(1 1 1 )晶向异质生长出高质量的准晶 Si C薄膜。

低温异质生长SiC薄膜预处理工艺研究

讨论了在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中,预处理工艺对SiC成膜的影响.采用硅烷、甲烷作为反应气源,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微分析(SEM)等分析手段,进行预处理工艺的研究.获得了在低温下700~800℃制备高质量SiC薄膜的预处理工艺参数:热丝碳化温度2 000℃;HF酸蚀30 s;H2刻蚀10 min.

离子轰击控制准直碳纳米管生长的研究

用CH4 ,H2 和NH3 作为反应气体 ,利用等离子体增强热丝化学汽相沉积制备出准直碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了不同负偏压对准直碳纳米管生长的影响 .结果表明 ,随着负偏压的增大 ,准直碳纳米管的平均直径减小、平均长度增大 .由于辉光放电的产生 ,在衬底表面附近形成阴极鞘层 ,并在阴极鞘层内形成大量的离子和在衬底表面附近形成很强的电场 .离子在电场的作用下对衬底表面的强烈轰击将对准直碳纳米管的生长产生影响 .结合有关理论 。