HFCVD法制备SiC薄膜的研究

用热丝化学汽相淀积法以硅烷、甲烷、氢气为源气,在低温下沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜。用XRD法对生成的SiC薄膜进行分析检测。实验表明在钨丝温度为1900℃,钨丝到衬底的距离为0.8cm时可生成优质的SiC薄膜。

热钯丝在硅烷气氛下的奇异行为及其解释

报道了热钯丝在低压硅烷气氛下的奇异行为，并给出了初步的解释。揭示了常规热丝法薄膜淀积工艺中热钨丝易断裂的原因。