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等离子体辅助热丝化学气相沉积金刚石膜 被引量:3
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作者 毕京锋 石玉龙 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第1期36-38,共3页
采用等离子辅助热丝化学气相沉积 (PAHFCVD)装置进行了金刚石薄膜的制备。并运用X射线衍射 (XRD)和扫描电子显微镜 (SEM)测试手段对沉积的金刚石薄膜进行了观察分析。在甲烷与氢气体积比为 2∶98、基体温度为 80 0℃、等离子体偏压 40 0... 采用等离子辅助热丝化学气相沉积 (PAHFCVD)装置进行了金刚石薄膜的制备。并运用X射线衍射 (XRD)和扫描电子显微镜 (SEM)测试手段对沉积的金刚石薄膜进行了观察分析。在甲烷与氢气体积比为 2∶98、基体温度为 80 0℃、等离子体偏压 40 0V、沉积气压 4kPa的沉积条件下可获得晶形完整的金刚石膜 ,其沉积速率可达 1 1 μm·h- 1 。 展开更多
关键词 热丝化学沉积 等离子体 金刚石薄膜 甲烷
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射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法制备类金刚石碳膜工艺与性能表征 被引量:2
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作者 陈冲 费振义 +5 位作者 亓永新 曹宁 张益博 王风 吕震 李木森 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2009年第5期7-12,共6页
使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(... 使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(C4H10、C2H2)制备的DLC薄膜微观组成和透光率进行了检测和对比。结果表明:DLC薄膜的表面光滑、平整,表面粗糙度随沉积时间的增加单调递增;耐磨性及附着性优良;与C4H10相比使用C2H2作为碳源气体可以得到较高sp3含量和较低sp1含量的DLC膜;C2H2制备DLC薄膜的透光率低于C4H10;同一种碳源气体,反应流量比例越小,则DLC薄膜的透光性越好。 展开更多
关键词 射频辉光放电等离子体辅助化学沉积 类金刚石薄膜 放电特性
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脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜摩擦磨损特性研究 被引量:24
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作者 马胜利 马大衍 +2 位作者 王昕 徐可为 介万奇 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期179-182,共4页
对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有... 对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有较高硬度、良好的膜基结合力,相对于TiN薄膜而言表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能.在实际使用中应注重成分和结构优化设计,以保证薄膜具有良优良的减摩性能. 展开更多
关键词 硬质薄膜 PCVD 结合力 摩擦磨损性能 脉冲直流等离子体辅助化学沉积 TIN薄膜 TiCN薄膜
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子体化学沉积 低温 镍基板
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微波等离子体化学气相沉积法低温合成纳米碳管 被引量:12
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作者 王升高 汪建华 秦勇 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期957-960,共4页
纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米... 纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米金属钴颗粒 .以甲烷为碳源、氢气为载气 ,在纳米金属钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在低于 5 0 展开更多
关键词 纳米碳管 微波等离子体 化学沉积 低温合成 结构表征
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取向碳纳米管阵列的等离子体复合化学气相沉积法制备 被引量:4
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作者 陈易明 张海燕 +3 位作者 朱清锋 陈雨婷 陈列春 杨大勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期470-474,共5页
采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析... 采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析,用透射电子显微镜和拉曼光谱对碳纳米管进行表征.结果表明,在H2-N2气氛中热还原后硅片上的催化剂粒径均匀,排列致密,利用该法制备的碳纳米管为竹节型多壁碳纳米管,管径分布均匀,管长约5μm.碳纳米管阵列薄膜垂直于硅片衬底生长,生长排列均匀致密,具有良好的取向性. 展开更多
关键词 取向碳纳米管阵列 热丝射频等离子体复合化学沉积 旋涂
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螺旋波等离子体化学气相沉积法制备纳米碳化硅薄膜 被引量:3
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作者 于威 王保柱 +2 位作者 孙运涛 韩理 傅广生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期272-275,共4页
采用螺旋波等离子体化学气相沉积 (HWP CVD)技术在Si(10 0 )和石英衬底上合成了具有纳米结构的碳化硅薄膜。通过X射线衍射 (XRD)、傅立叶红外透射 (FTIR)和原子力显微镜 (AFM)等技术对所制备薄膜的结构、组分和形貌进行了分析 ,利用光... 采用螺旋波等离子体化学气相沉积 (HWP CVD)技术在Si(10 0 )和石英衬底上合成了具有纳米结构的碳化硅薄膜。通过X射线衍射 (XRD)、傅立叶红外透射 (FTIR)和原子力显微镜 (AFM)等技术对所制备薄膜的结构、组分和形貌进行了分析 ,利用光致发光技术研究了样品的发光特性。分析表明 ,在 70 0℃的衬底温度和 1.33Pa的气压条件下所制备纳米SiC薄膜的平均颗粒度在 3nm以下 ,红外透射谱主要表现为Si C吸收。结果说明HWP CVD为制备高质量纳米SiC薄膜的有效技术 ,所制备样品呈现出室温短波长可见发光特性 ,发光谱主峰位于 395nm附近。 展开更多
关键词 螺旋波等离子体 化学沉积 制备 纳米碳化硅薄膜
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人工神经网络—遗传算法优化激光—等离子体化学气相沉积Si_3N_4薄膜制备工艺 被引量:2
8
作者 张勤俭 吴春丽 +4 位作者 李敏 张勤河 秦勇 毕进子 张建华 《陶瓷学报》 CAS 2002年第2期116-118,共3页
应用人工神经网络建立了激光—等离子体辅助化学气相沉积 (LPCVD)工艺参数与Si3 N4薄膜显微硬度的关系。并运用遗传算法优化出了最佳工艺。
关键词 激光-等离子体辅助化学沉积 Si3N4薄膜 人工神经网络 遗传算
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电子回旋共振—微波等离子体化学气相沉积法制备a-C:H(N)薄膜 被引量:2
9
作者 李新 唐祯安 +1 位作者 马国佳 邓新绿 《真空》 CAS 北大核心 2003年第5期28-30,共3页
采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键... 采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键结构。采用原子力显微镜 (AFM)观察薄膜的微观表面形貌 ,结果表明薄膜表面光滑。论文详细叙述了薄膜制备工艺 ,对测试结果进行了分析讨论 。 展开更多
关键词 电子回旋共振-微波等离子体化学沉积 制备 CH4 N2 非晶碳薄膜 紫外Raman光谱 原子力显微镜
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等离子体化学气相沉积法及其最新发展 被引量:2
10
作者 徐文国 金钦汉 《真空》 CAS 北大核心 1989年第6期54-60,共7页
本文将对等离子体的性质、等离子体对化学气相沉积的作用、PCVD反应器以及 新近发展起来的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)的特点和应用作一综述。期 望引起国内同行对这一崭新领域的关注,把我国PCVD特别是MPCV... 本文将对等离子体的性质、等离子体对化学气相沉积的作用、PCVD反应器以及 新近发展起来的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)的特点和应用作一综述。期 望引起国内同行对这一崭新领域的关注,把我国PCVD特别是MPCVD的研究工 作推向前进。 展开更多
关键词 等离子体 化学沉积 沉积
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等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜 被引量:1
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作者 郑怀礼 张玉其 +1 位作者 郑泽根 邓子华 《材料科学与工程》 CSCD 1998年第4期37-39,共3页
本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。
关键词 金刚石 薄膜 化学沉积 等离子体
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微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石管及其表征
12
作者 高旭辉 魏俊俊 吕反修 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期383-383,共1页
关键词 微波等离子体化学沉积 金刚石 制备 表征 钨丝 焦点
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微波等离子体化学气相沉积法合成纳米碳管
13
作者 王升高 汪建华 +2 位作者 马志彬 满卫东 王传新 《新技术新工艺》 北大核心 2002年第5期41-42,共2页
长期以来等离子体化学气相沉积法广泛用于薄膜材料的合成。自纳米碳管被发现以后 ,该方法已成为纳米碳管合成的一种非常重要的手段。本研究以 1 0 X和 1 3X分子筛为载体 ,在纳米钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在... 长期以来等离子体化学气相沉积法广泛用于薄膜材料的合成。自纳米碳管被发现以后 ,该方法已成为纳米碳管合成的一种非常重要的手段。本研究以 1 0 X和 1 3X分子筛为载体 ,在纳米钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在较低的温度条件下合成了纳米碳管。 展开更多
关键词 纳米碳管 微波等离子体化学沉积 分子筛 合成
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用于模具行业的等离子体辅助化学气相沉积薄膜强化技术与应用
14
作者 徐可为 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期4-5,共2页
探索将气相沉积氮化钛技术用于工模具和精密零部件的表面力化学强化和功能优化已有近30年的历史。2000年美国金 属学会将唯一一项工程材料成就奖授予Moen公司,以表彰其卓有成效地将氮化钛基镀膜技术应用于工业和民用领域。这一事实表明... 探索将气相沉积氮化钛技术用于工模具和精密零部件的表面力化学强化和功能优化已有近30年的历史。2000年美国金 属学会将唯一一项工程材料成就奖授予Moen公司,以表彰其卓有成效地将氮化钛基镀膜技术应用于工业和民用领域。这一事实表明,气相沉积表面陶瓷化技术在当今科技界具有领先的技术优势,其在工业界所产生的经济效益和行业引领作用将成为其未来技术评估的重点。 目前氮化钛镀膜技术已在国际刀具领域形成工业化生产。基本公认的事实是,离子镀用于高速钢刀具效果最好。 展开更多
关键词 模具 氮化钛薄膜 等离子体辅助化学沉积 表面强化技术
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直流等离子体-热丝化学气相沉积金刚石薄膜的研究 被引量:4
15
作者 丁发柱 石玉龙 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2006年第1期1-4,共4页
通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体一热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立的灯丝电压和施加的偏压。通过调节偏压可以控制所形成的等离子体的偏流。在这一改进的系统中研究了金... 通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体一热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立的灯丝电压和施加的偏压。通过调节偏压可以控制所形成的等离子体的偏流。在这一改进的系统中研究了金刚石薄膜形核和生长过程,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析了金刚石的样品,结果表明,施加偏压不仅能大大促进金刚石的形核密度(1010cm-2)、提高金刚石薄膜的生长速率,金刚石薄膜的取向也随机取向变为(111)定向生长。 展开更多
关键词 直流等离子体 热丝化学沉积 金刚石形核及生长
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微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展 被引量:5
16
作者 牟草源 李根壮 +4 位作者 谢文良 王启亮 吕宪义 李柳暗 邹广田 《电子与封装》 2023年第1期30-39,共10页
金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPC... 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学沉积 三维生长 拼接生长 异质外延
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热丝化学气相沉积法制备单晶金刚石的试验研究
17
作者 张川 刘栋栋 +1 位作者 陆明 孙方宏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期279-285,F0003,共8页
热丝化学气相沉积法沉积区域可达12英寸(30.48 cm),其具备大批量生产单晶金刚石的潜力。采用尺寸为3 mm×3 mm×1 mm,(100)取向的单晶金刚石为基体,利用热丝化学气相沉积法以甲烷和氢气为前驱体,同时通入少量氮气进行同质外延... 热丝化学气相沉积法沉积区域可达12英寸(30.48 cm),其具备大批量生产单晶金刚石的潜力。采用尺寸为3 mm×3 mm×1 mm,(100)取向的单晶金刚石为基体,利用热丝化学气相沉积法以甲烷和氢气为前驱体,同时通入少量氮气进行同质外延生长。结果表明,在热丝温度为2200℃、碳源浓度为4%、腔体气压为4 kPa的条件下,单晶金刚石以3.41μm/h的速度生长,表面无多晶、破口、孔洞等缺陷;外延层X射线衍射光谱在(400)面处峰值的半高宽为0.11°,低于基体的半高宽0.16°,证明外延层具有较高的晶体质量;氮气的引入可以提升单晶金刚石的生长速度,同时降低外延层的晶体质量,较高的氮气浓度还会使得单晶金刚石的生长模式转为岛状生长。 展开更多
关键词 热丝化学沉积 单晶金刚石 工艺参数优化 掺杂
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微波等离子体化学气相沉积β-C_3N_4超硬膜的研究 被引量:1
18
作者 张永平 顾有松 +5 位作者 常香荣 田中卓 时东霞 马立平 张秀芳 袁磊 《河北科技大学学报》 CAS 1999年第4期1-4,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌... 采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。X射线能谱(EDX)分析了这种晶态C-N膜的化学成分。对不同样品不同区域的分析结果表明,N/C比接近于4/3。X射线衍射结构分析说明该膜主要由β-C3N4 和α-C3N4 组成。利用Nano indenter Ⅱ测得C3N4 膜的体弹性模量B达到349 GPa,接近c-BN(367 GPa)的体弹性模量,证明C3N4 化合物是超硬材料家族中的一员。 展开更多
关键词 微波 等离子体 化学沉积 薄膜 沉积
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微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的进展 被引量:4
19
作者 郑怀礼 《表面技术》 EI CAS CSCD 1997年第3期4-5,35,共3页
评述了用微波等离子体化学气相沉积法制备高质量人造金刚石薄膜的最新动态和发展趋势。介绍的内容包括:制备仪器、应用领域、沉积条件等。
关键词 化学沉积 微波等离子体 金刚石薄膜 镀膜
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等离子体化学气相沉积法制备致密性超浸润纳米硅氟薄膜 被引量:2
20
作者 吕伟桃 毛静静 +3 位作者 梁宸 李嘉惠 莫德禧 元德侃 《有机硅材料》 CAS 2022年第1期11-16,共6页
以含氟丙烯酸酯功能单体和硅烷为原料、无水乙醇为溶剂、氩气为工艺气体,经等离子体化学气相沉积在表面绝缘阻抗(SIR)测试板和无尘布上制得硅氟薄膜。探讨了硅烷种类和用量、含氟单体用量对镀硅氟薄膜试件性能的影响。结果表明,采用γ-... 以含氟丙烯酸酯功能单体和硅烷为原料、无水乙醇为溶剂、氩气为工艺气体,经等离子体化学气相沉积在表面绝缘阻抗(SIR)测试板和无尘布上制得硅氟薄膜。探讨了硅烷种类和用量、含氟单体用量对镀硅氟薄膜试件性能的影响。结果表明,采用γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH 570)、γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH 550)和乙烯基三甲氧基硅烷(A171)的镀硅氟薄膜SIR测试板的静态水接触角分别为136.0°、135.6°和135.7°,摩擦200次后分别下降了7.5°、10.2°和11.9°,通电时间分别为30 min、5 min和3 min,表面粗糙程度逐渐降低;随着KH 570用量由0.2份增加到5份,镀硅氟薄膜SIR测试板的通电时间从8 min逐渐延长至33 min;随着含氟单体用量从78份升至93份,镀硅氟薄膜无尘布的静态水接触角从126°升至154°。硅烷选择KH 570较佳,KH 570的较佳用量为2份,含氟丙烯酸酯功能单体的较佳用量为90份,此时镀硅氟薄膜SIR测试板的静态水接触角为136.0°,通电时间为30 min。 展开更多
关键词 等离子体 化学沉积 硅烷 致密性 硅氟薄膜
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