热中子辐照提高掺硼YBaCuO超导体Jc的研究

掺杂天然硼的熔融织构生长（Ｍｅｌｔ－ｔｅｘｔｕｒｅｄＧｒｏｗｔｈ）的ＹＢｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０．０１５，０．０３５）超导体经注量为５×１０１７ｃｍ－２的热中子辐照后，磁临界电流密度Ｊｃ增至３．８倍。１０Ｂ（ｎ，α）７Ｌｉ、７Ｌｉ＊（Ｑ＝＋２．７９ＭｅＶ）核反应出射的高能粒子能在超导体中产生均匀分布的、可以作为磁通钉扎中心的辐照损伤，以便提高Ｊｃ。掺硼超导体热中子辐照后放射性副产物的半衰期较短，剂量较小，使得这项技术很有应用前景。

B_4C_P/PI聚酰亚胺复合薄膜耐高温及热中子辐照屏蔽性能研究

以耐高温型聚酰亚胺为基体,微米碳化硼(B_4C)为热中子吸收剂,采用粉体表面改性及超声湿混-热亚胺化成膜工艺成功制备了一系列B_4CP/PI聚酰亚胺复合薄膜,重点探讨了不同B_4C含量条件下复合薄膜的耐热性能和力学性能以及不同B_4C含量、不同复合薄膜厚度条件下复合材料的热中子屏蔽性能。研究表明:采用上述工艺,B_4C功能粒子在聚酰亚胺基体中可均匀分散;B_4CP/PI复合薄膜的耐热性随B_4C含量的增加显著提高,力学性能则呈相反趋势;所制备的B_4CP/PI复合薄膜表现出优异的热中子屏蔽性能,中子透射率I/I0随复合薄膜厚度增加及B_4C含量增加呈指数变化规律。据此,可通过材料结构设计,满足不同领域对该类耐高温中子防护材料的应用需求。

无损检测用铱192γ源

铱192γ源采用0．2—0．3mm厚的高纯金属铱片做为靶材料，经高通量反应堆的热中子辐照后，按^191Ir(nr)^192Ir核反应生成高比活度铱192，然后将一定数量的放射性铱片分装在单层不锈钢包壳内，氩弧焊密封，即成无损检测用铱192γ源。采用电离室测量装置测出源在一定距离处的照射量率，然后计算出源的等效活度。不确定度好于±7％；源的泄漏和表面放射污染采用浸泡法和单道1谱仪检测；源的安全性能等级按GB4075的规定检验；铱192所含γ放射性杂质采用半导体探测器多道γ谱仪检验。

放射医学

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