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题名短脉冲激光加工硅膜的传热过程及烧蚀图形的二维计算
被引量:3
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作者
金方圆
陈波
鄂书林
王海峰
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机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院大学
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期75-81,共7页
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基金
国家自然科学基金(No.10878004/A03)资助
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文摘
为研究短脉冲激光辐照硅膜表面后的能量传输过程,基于双温方程的计算方法以及自由电子气理论,建立了求解能量传输方程的二维有限元模型.针对红外以及可见光波段的激光,通过限制硅膜的大小,有效地控制了计算的精度,并得到电子温度与热流的时间以及空间分布.计算结果表明,激光诱导产生的等离子体密度极大地影响了硅膜表面的反射率及光吸收系数;通过分析电子热流密度随时间的变化曲线,得到硅膜内部能量的传输过程;在激光作用过程中,硅膜内部晶格温度始终保持在熔点以下,证明了等离子体密度是激光烧蚀硅膜的主导因素;预测了激光烧蚀的图形,并分析了不同波长的激光烧蚀图形与高斯曲线的关系.
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关键词
激光加工
红外吸收
激光热传导
热传导-数学计算
硅膜
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Keywords
Laser ablation
Infrared absorption
Laser heating
Heat transfer-mathematical models
Siliconfilms
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分类号
TN241
[电子电信—物理电子学]
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