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离子注入掺杂热再分布的分析计算
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作者 林长贵 王则如 黄宗林 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第1期23-25,共3页
本文对离子注入杂质的热再分布过程提出了两种分析手段:其一是已知热再分布的工艺条件,求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果;其二是已知再分布后杂质分布的边界条件,采用牛顿—拉夫逊,蒙特卡罗计算方法,求得最终杂质浓度分布;并给出... 本文对离子注入杂质的热再分布过程提出了两种分析手段:其一是已知热再分布的工艺条件,求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果;其二是已知再分布后杂质分布的边界条件,采用牛顿—拉夫逊,蒙特卡罗计算方法,求得最终杂质浓度分布;并给出了CMOS 集成电路中离子注入p 阱的计算结果. 展开更多
关键词 CMOS集成电路 离子注入 掺杂 热再分布 蒙特卡罗计算方法 数值求解
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