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纳米压印光刻胶
被引量:
2
1
作者
赵彬
张静
+5 位作者
周伟民
王金合
刘彦伯
张燕萍
施利毅
张剑平
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第9期606-612,共7页
光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介...
光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介绍了热压印光刻胶、紫外压印光刻胶、步进压印式光刻胶和滚动压印式光刻胶的特点以及碳氧类纯有机材料、有机氟材料、有机硅材料做压印光刻胶的优缺点。列举了热压印、紫外压印、步进压印工艺中具有代表性的光刻胶实例,详细分析了其配方中各组分的比例和作用。介绍了可降解光刻胶的原理。展望了压印光刻胶的发展趋势。
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关键词
纳米
压
印
(NIL)
热压印光刻
胶
紫外
压
印
光刻
胶
氟聚合物
有机硅聚合物
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职称材料
高分辨率常温压印光刻工艺研究
被引量:
1
2
作者
秦旭光
李涤尘
+2 位作者
李寒松
丁玉成
卢秉恒
《电加工与模具》
2003年第3期53-55,共3页
压印光刻技术将传统的模具复型原理应用到微观制造领域 ,是一种低成本高效率的集成电路制造技术。国外压印光刻工艺主要为热压印。针对热压印光刻工艺中因热变形而导致精度丧失的问题 ,提出了冷压印光刻。冷压印光刻的复型分辨率和复型...
压印光刻技术将传统的模具复型原理应用到微观制造领域 ,是一种低成本高效率的集成电路制造技术。国外压印光刻工艺主要为热压印。针对热压印光刻工艺中因热变形而导致精度丧失的问题 ,提出了冷压印光刻。冷压印光刻的复型分辨率和复型质量高 ,解决了热压印光刻中的诸多难题 ,实现了 0 .
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关键词
集成电路
热压印光刻
冷
压
印
光刻
复型
分辨率
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职称材料
紫外纳米压印技术的研究进展
被引量:
5
3
作者
殷敏琪
孙洪文
王海滨
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第5期347-354,共8页
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料...
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料与制备技术的现状,并列举了步进-闪光压印光刻(S-FIL)、卷对卷式紫外纳米压印光刻(R2R-NIL)等工艺的流程及其特点。紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充、固化、脱模等物理行为影响。结合最近的实验研究,从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理,主要指出了光刻胶流动行为以及模具降解等问题。最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用。
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关键词
紫外纳米
压
印
光刻
(UV-NIL)
抗蚀剂
热压印光刻
(T-NIL)
步进-闪光
压
印
光刻
(S-FIL)
卷对卷纳米
压
印
光刻
(R2R-NIL)
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职称材料
题名
纳米压印光刻胶
被引量:
2
1
作者
赵彬
张静
周伟民
王金合
刘彦伯
张燕萍
施利毅
张剑平
机构
上海大学理学院化学系
上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米核心技术实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第9期606-612,共7页
基金
上海市科委纳米专项基金(1052nm07500)
文摘
光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介绍了热压印光刻胶、紫外压印光刻胶、步进压印式光刻胶和滚动压印式光刻胶的特点以及碳氧类纯有机材料、有机氟材料、有机硅材料做压印光刻胶的优缺点。列举了热压印、紫外压印、步进压印工艺中具有代表性的光刻胶实例,详细分析了其配方中各组分的比例和作用。介绍了可降解光刻胶的原理。展望了压印光刻胶的发展趋势。
关键词
纳米
压
印
(NIL)
热压印光刻
胶
紫外
压
印
光刻
胶
氟聚合物
有机硅聚合物
Keywords
nanoimprint lithography(NIL)
hot embossing resist
UV-nanoimprint resist
fluoropolymer
organosilicon polymer
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高分辨率常温压印光刻工艺研究
被引量:
1
2
作者
秦旭光
李涤尘
李寒松
丁玉成
卢秉恒
机构
西安交通大学先进制造技术研究所
出处
《电加工与模具》
2003年第3期53-55,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 5 0 2 75 118)
国家 863计划重点项目 ( 2 0 0 2AA42 0 0 5 0 )
文摘
压印光刻技术将传统的模具复型原理应用到微观制造领域 ,是一种低成本高效率的集成电路制造技术。国外压印光刻工艺主要为热压印。针对热压印光刻工艺中因热变形而导致精度丧失的问题 ,提出了冷压印光刻。冷压印光刻的复型分辨率和复型质量高 ,解决了热压印光刻中的诸多难题 ,实现了 0 .
关键词
集成电路
热压印光刻
冷
压
印
光刻
复型
分辨率
Keywords
integrated circuit
hot embossing lithography
room temperature imprint lithography
replication
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
紫外纳米压印技术的研究进展
被引量:
5
3
作者
殷敏琪
孙洪文
王海滨
机构
河海大学物联网工程学院
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第5期347-354,共8页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2015B22514)
文摘
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料与制备技术的现状,并列举了步进-闪光压印光刻(S-FIL)、卷对卷式紫外纳米压印光刻(R2R-NIL)等工艺的流程及其特点。紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充、固化、脱模等物理行为影响。结合最近的实验研究,从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理,主要指出了光刻胶流动行为以及模具降解等问题。最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用。
关键词
紫外纳米
压
印
光刻
(UV-NIL)
抗蚀剂
热压印光刻
(T-NIL)
步进-闪光
压
印
光刻
(S-FIL)
卷对卷纳米
压
印
光刻
(R2R-NIL)
Keywords
UV nanoimprint lithography(UV-NIL)
resist
thermal nanoimprint lithography(T-NIL)
step and flash imprint lithography(S-FIL)
roll-to-roll nanoimprint lithography(R2R-NIL)
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米压印光刻胶
赵彬
张静
周伟民
王金合
刘彦伯
张燕萍
施利毅
张剑平
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011
2
下载PDF
职称材料
2
高分辨率常温压印光刻工艺研究
秦旭光
李涤尘
李寒松
丁玉成
卢秉恒
《电加工与模具》
2003
1
下载PDF
职称材料
3
紫外纳米压印技术的研究进展
殷敏琪
孙洪文
王海滨
《微纳电子技术》
北大核心
2017
5
下载PDF
职称材料
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