在Si和SiO_2基底上,采用热原子层沉积技术,以四(二甲基氨基)钛(Ti(N(CH_3)_2)_4)和三甲基铝(Al(CH_3)_3)为前驱体,制备TiAlCN薄膜。测试结果表明,随着基底温度的升高,膜层的沉积速率升高,电阻率降低,光学带隙由3.45 eV降低到2.00 e V,...在Si和SiO_2基底上,采用热原子层沉积技术,以四(二甲基氨基)钛(Ti(N(CH_3)_2)_4)和三甲基铝(Al(CH_3)_3)为前驱体,制备TiAlCN薄膜。测试结果表明,随着基底温度的升高,膜层的沉积速率升高,电阻率降低,光学带隙由3.45 eV降低到2.00 e V,并在基底温度为300和350℃时出现了双吸收边;基底温度为350℃时,Al(CH_3)_3分解,使Al进入膜层与TiN和TiC形成TiAl N和TiAlC;膜层中TiN和TiC的形成,可以有效抑制膜层的自然氧化;基底温度为250和300℃时,薄膜为无定型结构,当基底温度为350℃时,有TiN晶体产生;膜层的表面粗糙度随着基底温度的升高先降低后升高,表面粗糙度的升高可能是因为在基底温度为350℃时前驱体材料的分解,使C—H键进入膜层所导致的。展开更多
本文介绍了协变密度泛函理论研究热原子核对关联的工作.该工作在协变密度泛函理论框架下,引入严格保持粒子数守恒的类壳模型方法来处理对关联.基于正则系综理论分析了^(162)Dy原子核的热力学性质,计算了该原子核的比热容,得到了随温度...本文介绍了协变密度泛函理论研究热原子核对关联的工作.该工作在协变密度泛函理论框架下,引入严格保持粒子数守恒的类壳模型方法来处理对关联.基于正则系综理论分析了^(162)Dy原子核的热力学性质,计算了该原子核的比热容,得到了随温度变化的"S"型曲线,发现对关联对此"S"型曲线至关重要.在保持粒子数守恒的条件下,对能隙随温度平滑变化,表明原子核从超流态转变到正常态.该工作还分析了不同辛弱数对热原子核的影响,发现温度在1 Me V以内,热原子核的性质主要由辛弱数为0,2和4的态所决定.展开更多
文摘在Si和SiO_2基底上,采用热原子层沉积技术,以四(二甲基氨基)钛(Ti(N(CH_3)_2)_4)和三甲基铝(Al(CH_3)_3)为前驱体,制备TiAlCN薄膜。测试结果表明,随着基底温度的升高,膜层的沉积速率升高,电阻率降低,光学带隙由3.45 eV降低到2.00 e V,并在基底温度为300和350℃时出现了双吸收边;基底温度为350℃时,Al(CH_3)_3分解,使Al进入膜层与TiN和TiC形成TiAl N和TiAlC;膜层中TiN和TiC的形成,可以有效抑制膜层的自然氧化;基底温度为250和300℃时,薄膜为无定型结构,当基底温度为350℃时,有TiN晶体产生;膜层的表面粗糙度随着基底温度的升高先降低后升高,表面粗糙度的升高可能是因为在基底温度为350℃时前驱体材料的分解,使C—H键进入膜层所导致的。
文摘本文介绍了协变密度泛函理论研究热原子核对关联的工作.该工作在协变密度泛函理论框架下,引入严格保持粒子数守恒的类壳模型方法来处理对关联.基于正则系综理论分析了^(162)Dy原子核的热力学性质,计算了该原子核的比热容,得到了随温度变化的"S"型曲线,发现对关联对此"S"型曲线至关重要.在保持粒子数守恒的条件下,对能隙随温度平滑变化,表明原子核从超流态转变到正常态.该工作还分析了不同辛弱数对热原子核的影响,发现温度在1 Me V以内,热原子核的性质主要由辛弱数为0,2和4的态所决定.