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热壁MOCVD法生长Hg1—xGdxTe材料
1
作者
丁永庆
毕戈雄
《上海半导体》
1994年第3期35-38,61,共5页
关键词
红外光学材料
热壁mocvd
法
HGCDTE
下载PDF
职称材料
热壁MOCVDHg1—xCdxTe中的Hg蒸汽压和分配比
2
作者
丁永庆
彭瑞伍
《科技通讯（上海）》
CSCD
1993年第2期45-47,共3页
关键词
热壁mocvd
HGCDTE
蒸汽压力
分配比
原文传递
热壁MOCVDHg0.8Cd0.2Te制备和特性
3
作者
丁永庆
彭瑞伍
《科技通讯（上海）》
CSCD
1994年第2期46-50,共5页
关键词
HGCDTE
化合物半导体
热壁mocvd
法
原文传递
题名
热壁MOCVD法生长Hg1—xGdxTe材料
1
作者
丁永庆
毕戈雄
出处
《上海半导体》
1994年第3期35-38,61,共5页
关键词
红外光学材料
热壁mocvd
法
HGCDTE
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
热壁MOCVDHg1—xCdxTe中的Hg蒸汽压和分配比
2
作者
丁永庆
彭瑞伍
出处
《科技通讯（上海）》
CSCD
1993年第2期45-47,共3页
关键词
热壁mocvd
HGCDTE
蒸汽压力
分配比
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
热壁MOCVDHg0.8Cd0.2Te制备和特性
3
作者
丁永庆
彭瑞伍
出处
《科技通讯（上海）》
CSCD
1994年第2期46-50,共5页
关键词
HGCDTE
化合物半导体
热壁mocvd
法
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
热壁MOCVD法生长Hg1—xGdxTe材料
丁永庆
毕戈雄
《上海半导体》
1994
0
下载PDF
职称材料
2
热壁MOCVDHg1—xCdxTe中的Hg蒸汽压和分配比
丁永庆
彭瑞伍
《科技通讯（上海）》
CSCD
1993
0
原文传递
3
热壁MOCVDHg0.8Cd0.2Te制备和特性
丁永庆
彭瑞伍
《科技通讯（上海）》
CSCD
1994
0
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