氧化钒热敏薄膜的制备及其性质的研究

报道一种制备氧化钒热敏薄膜的新方法 .采用离子束溅射 V2 O5粉末靶淀积和氮氢混合气体热处理相结合的薄膜技术 ,可制备热敏性能较好的低价氧化钒薄膜 VOx(x<2 .5 ) .对不同温度退火后氧化钒薄膜在 10～ 10 0℃范围内测定了薄层电阻随温度的变化 ,得到的电阻温度系数 (TCR)值为 (- 1～ - 4) % K- 1 .研究结果表明通过这种方法可在较低温度下制备氧化钒薄膜 ,这种薄膜具有较低的电阻率和较高的 TCR值 。

多孔硅基热敏薄膜的制备与性能

对MEMS用具有绝热性能的多孔硅基底上沉积的热敏感薄膜进行了研究.首先用电化学方法制备多孔硅,分别在多孔硅基底和硅基底上通过溅射镀膜方法沉积氧化钒、Cu、Au热敏薄膜,测试多孔硅基底和硅基底上的氧化钒及金属薄膜电阻的热敏特性.结果表明,在多孔硅基底表面沉积的热敏薄膜具有与硅基表面热敏薄膜同样的热敏特性且表现出更高的灵敏度;此外,对沉积在不同制备条件得到的多孔硅上的氧化钒薄膜电阻热敏特性进行比较,发现随着孔隙率和厚度的增加,多孔硅的绝热性能提高,其上沉积的氧化钒薄膜电阻热敏特性增强.

溶胶凝胶法制备的Mn系氧化物热敏薄膜的尺寸效应

本文阐述了用溶胶凝胶法制备ＣｏＭｎＣｕＯ等热敏薄膜的方法，研究了它们的电学性质。结果表明，薄膜的Ｒ－Ｔ特性基本符合Ｒ＝Ｒ＿ｏｅｘｐ（Ｂ／Ｔ）关系。在本文样品厚度的范围内，厚度对电阻率（ρ＿ｆ）和材料常数（Ｂ）有较大的影响。利用扩展电阻仪分析了电阻率随深度的变化，用俄歇电子能谱分析了组分随深度的变化，在此基础上对尺寸效应作出了相应的解释。

柔性热敏薄膜传感器阵列工艺研究

分析了热敏薄膜传感器测量流场温度和壁面剪应力的原理,选择聚酰亚胺为衬底材料,金属镍为热敏材料,提出了一种电镀引线的柔性热敏薄膜传感器阵列结构及其制作工艺。经热敏性能测试,该柔性热敏薄膜传感器阵列结构简单,可贴附于高曲率复杂表面,实现非破坏动态流场参数测量。

Pt薄膜热敏电阻工艺研究

本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好的线性度和灵敏度,电阻温度系数达到(或接近)3 850 ?06℃1。本工艺条件稳定,适合批量生产。

基于离子束溅射法制备的负温度系数Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_(4)薄膜热敏电阻

随着当前传感器的小型化和集成化趋势热敏薄膜材料受到广泛关注。为制备电阻率低、温度性能稳定的负温度系数(NTC)热敏电阻,以Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_(4)为研究对象,通过离子束溅射法在硅晶圆上制备热敏电阻薄膜,使用真空退火炉进行退火,成功制备出热敏电阻。采用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构和形貌进行表征,并用恒温槽、数字万用表等对样品进行电学性能测试。结果表明采用离子束溅射法可以获得粒径小、致密和均匀性好的低电阻率热敏电阻薄膜,薄膜电阻率降低至2.18×10^(-3)Ω·cm,25℃下电阻为81.635Ω,在0~100℃测试温区内,制备的热敏薄膜材料具有明显的负温度特性。

Ni薄膜热敏电阻失效机理研究

通过对Ni薄膜热敏电阻进行可靠性试验得出其失效模式,并对失效机理进行了分析。

一种制备氧化钒薄膜的新工艺

采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜。电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在室温时分别达到50kΩ和0.021K-1。

离子束增强沉积氧化钒薄膜的温度系数

用离子束增强沉积法从五氧化钒直接制备二氧化钒薄膜.750℃氮气退火后,薄膜的热电阻温度系数高达4.07％.高剂量的氢、氩混合束的注入使薄膜中的氧缺位较少,并在薄膜中引入了应力,使薄膜的温度-电阻曲线的斜率变大,可能是TCR增大的原因.

Mg和V_(2)O_(5)共溅射制备+4价钒的氧化物薄膜

在常温、高真空条件下,采用高纯金属镁靶和V_(2)O_(5)靶进行共溅射,利用镁原子的还原性,将+5价的钒还原为+4价,在硅衬底上制备钒的氧化物薄膜。当Mg和V的原子比为1:2时,XPS测试表明薄膜中有V^(4+)和V^(2+)存在。X射线衍射结果显示,制备的薄膜主要成分是Mg V_(2)O_(5),且结晶状况良好。温度-电阻率测试结果显示,薄膜在20℃附近有相变行为,电阻温度系数高达-8.6%/K,回线弛豫温度约为0.3℃,负温度系数热敏电阻材料常数高达6700。这一发现为制备非制冷焦平面探测用的热敏薄膜材料提供了新的思路。

微测辐射热计用氧化钒薄膜制备及特性

热敏薄膜电阻制备是非致冷微测辐射热计红外焦平面的一项关键技术。对目前在非致冷微测辐射热计研制中得到成功应用的氧化钒薄膜的特性、制备及表征技术进行综述。氧化钒存在多种物相和结构 (VOx:0 <x≤ 2 .5) ,它们具有不同的半导体、金属导电特性 ,某些相在一定温度下会发生半导体 -金属相变 ,材料的电阻率和光学透射率在这些相变温度附近会发生极大的变化。有的氧化钒 (x≈ 2 )在室温附近具有较高的电阻温度系数 ,可达 ( - 2～ - 4) %K-1。目前制备氧化钒薄膜有蒸发、溅射、脉冲激光沉积、溶胶 -凝胶、氧化还原等方法 ,其中溅射法具有大面积均匀、工艺温度低、与衬底附着力强、与集成电路工艺兼容性好等诸多优点 ,在非致冷微测辐射热计红外焦平面的研制中有很好的应用前景。

在聚酰亚胺衬底上低温制备超薄热敏铂膜的研究

通过在聚合物衬底上制备热敏薄膜可以实现非平、屈曲物体表面温度的实时监控和测量。利用脉冲激光沉积技术在聚酰亚胺衬底上低温(250℃左右)制备了超薄铂热敏薄膜,其室温下的电阻温度系数为1.01×10-3/K。通过增加ZnO过渡层,可使铂薄膜的电阻温度系数增大为1.55×10-3/K。

形形色色的路标

△颇有人情味的“保健”路标:德国的一些城市设有“保健”路标,凡是靠近医院的地方,路标上都有一个护士,她的食指靠近嘴唇。看到这个标志就仿佛听到护士小姐的忠告:“嘘,这里有病人,请保持安静!” △会变脸的热敏。

退火温度对Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜热敏电阻室温电阻影响研究

在采用真空射频磁控溅射法在Al_2O_3基片上制备Mn-Co-Ni-O(Mn:Co:Ni=3:2:1)功能薄膜时,需要进行高温退火处理,然后在此基础上制备NTC薄膜热敏电阻。本文利用X射线衍射仪(XRD)、台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)和恒温油槽等,分析了NTC薄膜热敏电阻的功能薄膜结构、功能薄膜形貌及电性能,研究了不同的退火温度对NTC薄膜热敏电阻室温电阻的影响。结果表明:在低于1000℃的退火温度时,随着退火温度的升高,NTC薄膜热敏电阻功能薄膜的晶粒逐渐长大,收缩率也逐渐升高,NTC薄膜热敏电阻的室温电阻则随着退火温度的升高而增加。