密闭热系统中拉制硅单晶

本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制硅单晶的情况。试验表明：密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氢气消耗，而且可有效地降低硅单晶的氧含量和热氧化层错密度。文中还对密闭系统的材料、形状、放置及作用作了具体描述。

半导体材料

0015951激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究[刊]/刘传珍//液晶与显示.—2000,15(1).—46～51(B) 0015952超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究[刊]/周之斌//固体电子学研究与进展.—2000,20(2),—229～233(D)0015953软损伤吸杂作用机构的分析[刊]/夏玉山//固体电子学研究与进展.—2000,20(2).—223～228(D)用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构:当热氧化时软损伤诱生热氧化层错,当外延生长时软损伤诱生半环形位错,硅片表面电活性区的有害杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上。