复合热激电流曲线陷阱参数的计算

首先介绍了一种从单一热激电流曲线估计载流子的陷阱参数 ,如活化能E、频率因子s和动力学级数b的方法。然后将该方法用于计算复合热激电流曲线 ,以获得相应于各峰的陷阱参数 ,通过将它们代入单峰理论公式进行计算 ,最后完成复合热激电流曲线的分解。

热激电流及热释光联合测量装置的研制

介绍利用热激电流与热释光先进测量技术研究高聚物中载流子陷阱结构的联合装置、样品室的建立、特别是用于热释光检测的单光子计数器的研制．

热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文)

熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。

聚酯薄膜中的热释光与热激电流

同时测量了聚酯薄膜的热释光与热激电流谱，用作者提出的自动分离法对光强成电流与温度的关系进行了分析 发现低温峰（１５０～２５０Ｋ）具有复杂的能级分布，其分布宽度近似为０．２４～０．４６ｅＶ，受陷载流子的初始浓度分布函数呈近高斯型．将ＴＳＣ及ＴＬ谱中低温宽峰归结为薄膜中－ＣＯＯ－基团的局部运动导致受陷载流子的热释放．

高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量

对水热法生长的高阻ZnO单晶在进行热激电流(TSC)和热电效应谱(TEES)测量的同时,也进行了的热激发光(TL)的测量。在80～400K的温度范围内,测出多达13个深能级,热激电流所测的深能级大部分为空穴陷阱。热激电流与热激发光的温度谱有很大差别,呈互补行为,可能是非平衡载流子在不同的温度下其寿命不同所致。

聚合物中热发光与热激电流的同时测量与信号处理

依据聚合物中热发光与热激电流同时测量的数字化测量方法，分析了被测信号的频谱与采样频率，设计了一种零位相滤波器。实测结果表明，使被测信号得以平滑并消除了位相失真。

热激电流法测ZnS:Er薄膜中深能级的研究

采用热激电流法对ZnS:Er交流薄膜电致发光器件中深能级的测量结果,推测了几种深能级的产生机制。

一种新型静电计在高聚物热激电流测试中的应用

为提高热激电流测试的精确度和自动化程度,引入了Keithley6517A新型高精确度静电计,利用Visual C++.NET2003软件编程,实现了计算机控制Keithley 6517A对TSC测试数据进行采集,给出主要程序及相关解释,得到满意结果.

用热激电流法测定硅-二氧化硅的界面态

用热激电流法测量了MOS及MNOS界面态.所测得的界面态密度分布与用准静态法测得的结果有不同之处在于:界面态密度在近带边时是减小的.这是由于界面态俘获截面在带边处急剧下降的关系,热激电流法测不到这部分界面态.在P型衬底MOS中在价带上 0.3 eV处有一分立能级,禁带中央处密度很小.部分n型样品在多次测量后产生一个新的能级,位置在导带下0.4eV处.有些n型样品在高反偏压下出现新的分立能级;有一批样品,其分立能级的激活能随偏压变化.这些能级可能与氧化层缺陷有关.

纳米无机杂化聚酰亚胺薄膜的热激电流谱特性

利用高压力热激电流(TSC)方法,研究了Du-pont经过纳米无机杂化的聚酰亚胺(PI)薄膜和普通聚酰亚胺薄膜的退极化特性,在不同的压力下观察到了已极化过的聚酰亚胺的松弛过程,发现了普通与纳米杂化的聚酰亚胺薄膜的松弛峰温均随外加压力增大而移向高温,同时纳米杂化的聚酰亚胺薄膜松弛峰温及峰高比普通聚酰亚胺薄膜有显著增加.

高压力下聚酰亚胺薄膜热激电流的研究

由于压力参数的引入可以在热激电流（TSC）测量中获得更多实用信息,故自行设计了高压力下测量TSC装置,并且用该装置测量了聚酰亚胺（PI）薄膜在不同压力下的TSC谱和恒温下降低压力时的压激电流（PSC）谱.结果表明:在相同条件下极化的样品,随着压力的增加,其热激电流峰移向高温,压力因素显著地影响聚酰亚胺薄膜的松弛参数.

电老化聚乙烯的热激电流和热释光研究

聚乙烯（ＰＥ）样品在５０ｋＶ／ｍｍ的交流电场下老化不同时间，用联合谱仪同时测量了老化样品的热激电流（ＴＳＣ）和热释先（ＴＬ）．测试结果显示：空间电荷随着老化时间的增加而增加．老化不仅增加了ＰＥ样品中ｙ，β，ａ松驰区的陷阱和发光中心的浓度，而且也增加了β和ａ松驰区的陷阱深度．

CdZnTe晶体热激电流谱分析

热激电流谱测试技术(TSC)是宽禁带半导体深能级缺陷非常有效的测试方法,能够精准获得缺陷类型,深度(E_(a,i)),浓度(N_i)以及俘获截面(σ_i)等重要物理信息。研究了基于变升温速率的Arrhenius公式作图法和同步多峰分析法(SIMPA)对热激电流谱数据处理的差异及影响规律。结果表明,Arrhenius公式作图法在陷阱能级深度确认方面较为准确,但需要通过多次变升温速率提高其准确性,实验操作周期较长,并且无法分解热激电流谱峰重叠的情况。相比之下,同步多峰分析法能够通过单次温度扫描的数据处理得到E_(a,i),N_i及σ_i等陷阱参数,所需实验周期较短。但β,E_(a,i),σ_i和载流子迁移率寿命积(μt)等参数的选择对谱峰的位置,幅值及峰宽影响较大。初值的设定对拟合结果和数据吻合程度影响显著。此外,红外透过成像结果表明,头部样品Te夹杂相的浓度较低且呈现明显的带状分布,而尾部样品夹杂相浓度呈均匀分布。通过对比不同样品的热激电流谱测试结果发现,尾部样品浅能级陷阱浓度远高于头部样品,且其低温光电导弛豫过程呈现明显的曲线变化规律。这一研究结果表明,Te夹杂相的分布及浓度可能会导致晶体内部浅能级缺陷的浓度变化,并且浅能级缺陷对光激发载流子的俘获时间更长,去俘获时间更短。

热处理对无机纳米聚酰亚胺复合物热激电流谱的影响

利用热激电流法,分别测量了经过不同热处理温度后的无机纳米聚酰亚胺薄膜的TSC曲线,并将测量的不同曲线相互比较.结果表明,随试样热处理温度的增加,高温(443～453 K)峰的峰值及峰温变化不规则,而低温(313～323K)峰却显著增大.

半绝缘砷化镓的热激电流谱测量

本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。

聚乙二醇型聚氨酯脲的热激放电电流分析

用热激放电电流（ＴＳＤＣ）技术研究了具有微相分离结构的聚乙二醇型多嵌段聚醚氨酯脲（ＰＥＵＵ）的弛豫行为．通过浇铸ＰＥＵＵ的Ｎ，Ｎ－二甲基乙酰胺溶液所得的ＰＥＵＵ薄膜，其ＴＳＤＣ谱显示４个峰（α，β，γ和ρ），发现这些峰与软段的分子运动即氧亚乙基序列的局部运动（γ峰）、微布朗运动引起的玻璃化转变（β峰）、Ｍａｘｗｅｌｌ－Ｗａｇｎｅｒ－Ｓｉｌｌａｒｓ界面极化（α峰）以及各种带电离子的迁移（ρ峰）密切相关，这些实验结果已经证明，ＴＳＤＣ分析是研究高分子固态离子导体的一种有价值的工具．

聚乙烯/蒙脱土纳米复合材料的电老化性能

通过试验分析了未老化和老化后纯聚乙烯和不同的聚乙烯／蒙脱土复合材料的绝缘电阻率ρv、介质损耗角正切tanδ以及击穿场强EB的性能．结果表明：聚乙烯／蒙脱土复合材料试样的tanδ温度关系与极性电介质的损耗特性相似，且试样绝缘电阻率于50～60℃温度范围内明显高于LDPE值．在电老化之前后，加入相容剂材料试样的击穿场强比LDPE试样约分别高7％、18％．热激电流（TSC）试验中，发现聚乙烯／蒙脱土纳米复合材料试样的松弛时间分布展宽，峰值增高．这是由于复合材料中引入的更多陷阱能级，调制了载流子浓度和迁移率，改善了材料的耐电老化性能．

蒙脱土改性聚乙烯复合材料的高场介电性能研究

利用熔融插层法制备了聚乙烯/蒙脱土纳米复合材料,研究蒙脱土对聚乙烯介电性能的影响。研究分析了纯聚乙烯和不同的聚乙烯/蒙脱土复合材料的树枝化性能,通过直流预电应力电树引发试验,探讨了空间电荷的极性效应对不同材料树枝化性能的影响。试验结果表明:与纯聚乙烯和其他复合材料相比,加入相容剂的聚乙烯/蒙脱土纳米复合材料的电树潜伏期更长,电树生长速度更慢,而且显示出与LDPE不同的极性效应。不同材料的热激电流(TSC)试验结果显示:聚乙烯/蒙脱土纳米复合材料的松弛时间分布展宽,峰值增高,说明在纳米复合材料中引入了更多的陷阱能级,这些陷阱调制了载流子浓度和迁移率,从而抑制了树枝的起始与生长。

聚酰亚胺薄膜制备与浅陷阱能级分布研究

采用两步法制备了均苯型纯聚酰亚胺(polyimide,PI)薄膜,并对该薄膜、3M和杜邦公司生产的纯PI薄膜进行热激电流测试。结果表明:3M纯PI的γ峰对应峰温和陷阱能级相对较高,这可能是其较高的聚合度,导致分子链的运动困难造成的,自制纯PI过程中适当提高聚酰胺酸粘度,有利于提高聚合度进而改善其性能;3M和杜邦纯PI薄膜β峰对应峰温比自制PI的峰温高35 K,这也是3M和杜邦纯PI的聚合度高,导致侧基运动困难造成的。β峰与偶极取向松弛有关,非晶PI的β峰峰温大约为345 K,比玻璃化转变温度略小,此温度下大分子链迁移困难,只有如羰基等极性基团的迁移。另外,只有杜邦纯PI有αC峰,这与薄膜内的晶区或界面效应有关。