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关于硅基片硬质掩膜形成的可行性研究
1
作者
新梅
《大连民族学院学报》
CAS
2001年第3期7-9,共3页
通过实验对热氧化工艺中的两种不同方法,即干氧氧化和水汽氧化进行了比较研究,证明了利用这种工艺形成硅基片硬质掩膜的可行性.
关键词
硅基片
硬质掩膜
可行性
热
氧化
工艺
干氧
氧化
水汽
氧化
热生长二氧化硅法
半导体工艺
下载PDF
职称材料
题名
关于硅基片硬质掩膜形成的可行性研究
1
作者
新梅
机构
大连民族学院
出处
《大连民族学院学报》
CAS
2001年第3期7-9,共3页
文摘
通过实验对热氧化工艺中的两种不同方法,即干氧氧化和水汽氧化进行了比较研究,证明了利用这种工艺形成硅基片硬质掩膜的可行性.
关键词
硅基片
硬质掩膜
可行性
热
氧化
工艺
干氧
氧化
水汽
氧化
热生长二氧化硅法
半导体工艺
Keywords
photo-electric technique
thermal oxidation technology
hard mask
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
关于硅基片硬质掩膜形成的可行性研究
新梅
《大连民族学院学报》
CAS
2001
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