期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模 被引量:1
1
作者 胡云峰 李斌 《电子器件》 CAS 2008年第4期1104-1108,共5页
泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和... 泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和温度范围内与实验数据吻合较好的多晶硅薄膜晶体管泄漏电流解析模型。模型适合于电路仿真器。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 泄漏电流 热电子场致发射 解析模型
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部