Si掺杂SnO_2基气体传感器抗湿性能研究

研究了以Si掺杂Sn O_2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高Sn O_2基气体传感器抗湿度干扰能力。采用共沉淀法制备Si掺杂Sn O_2作为补偿元件材料,Sb掺杂Sn O_2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征。考察了Sb掺杂量对传感器响应值影响和Si掺杂Sn O_2对抗湿性能影响,同时讨论了抗湿性能机理。结果表明,敏感元件材料中摩尔比Sb/Sn为6%使Sn O_2基传感器对体积分数1000×10^(-6) H2灵敏度由108 m V提高至435 m V,补偿元件材料摩尔比Si/Sn为0.7%使湿度引起的响应值相对误差降至8.8%。

高选择性的In_2O_3基热线型氢气传感器

采用反相微乳液法合成出纳米氧化铟(In_2O_3),利用其制备出了热线型气体传感器。利用二甲基二乙氧基硅烷(DEMS)的化学气相沉积,在敏感元件表面形成了一层致密的二氧化硅(SiO_2)分子筛层,限制了除氢气(H_2)以外其它分子直径较大的还原性气体向气敏材料内层的扩散,提高了该传感器对H_2的选择性和响应。参考元件的补偿作用降低了环境湿度的影响,通过气敏机理模型讨论了其内在原因。该传感器具有对H_2较高的选择性和响应,优良的抗环境影响能力,以及较好的稳定性和较低的功耗。