高温超导体的微观缺陷和电子密度随温度的变化

通过分析掺Zn和掺Ga的Bi系超导体在降温(温度从295K-30K)过程中的正电子寿命谱,结果表明:超导体在降温的过程中,由于热膨冷缩效应使得基体和缺陷处的电子密度整体性升高。但在超导临界温度转变点Tc附近,由于发生了正常态到超导态的转变,这种转变明显改变了高温超导体的电子态。随着温度的降低,当超导体的温度接近Tc时,超导体中的自由电子形成库柏对,使得基体以及缺陷处的自由电子密度降低,τ1,τ2和τm值升高。在转变温度点Tc,τ1,τ2和τm出现一个峰值,而自由电子密度nb出现了极小值。