一种应用于电子封装的热匹配工艺设计

作为组件封装材料,铝合金与芯片和电路基板之间存在热膨胀不匹配问题。采用热匹配工艺设计,选择合适的热匹配材料,为铝合金盒体与LTCC基板热膨胀匹配提供了一种理想解决方案。根据匹配设计理念,利用Abaqus有限元软件对热匹配材料及铝盒体的结构进行了仿真和优化,并与加工出试验样品的测试结果进行了对比,验证了模拟结果,为铝合金材料应用于电子封装探索出一条新的应用途径。

Mo-Cu和W-Cu合金的制备及性能特点

讨论了采用熔渗法制备高密度钨铜和钼铜合金,综合其密度、比热容、热膨胀系数、导热系数等基本数据,比较了合金的热物理性能及其应用上的特点。结果表明:与W-Cu合金相比,Mo-Cu合金从热力学角度考虑制备更困难,采用特殊工艺方可获得高致密性;Mo-Cu合金质轻且散热速率和稳定性优良,与常用基片材料Al2O3、芯片材料GaAs的热膨胀匹配性更好。

一种通用低成本大功率高亮度LED封装技术

提出了一种热传导高、热膨胀匹配良好、低成本、大功率、高亮度LED封装技术。该技术采用光电子与微电子技术相结合,利用背面出光的LED芯片,倒装焊接在有双向浪涌和静电保护电路的硅基板上。由于在封装中引入了热膨胀过渡层,在保证良好热膨胀匹配的同时,热阻增加少。采用该封装技术封装的白光LED,发光稳定,光衰小,长期寿命高。

GaAs MMIC通孔破裂的应力分析

就GaAsMMIC中器件通孔的应力分布、受力结构和应力来源展开讨论,得出了应力聚集于通孔边缘和圆形通孔具有最强受力能力的结论,并提出了降低应力的解决方案。

某聚酰亚胺基复合材料构件R角内部缺陷研究

聚酰亚胺基复合材料由于其自身反应复杂,成型难度较大,带拐角的聚酰亚胺基复合材料构件,其拐角区域(以下称为R区或R角)更容易产生分层、架桥等缺陷,本研究从拐角处的应力及固化过程中的模具、零件热膨胀差异等方面着手,探讨了拐角处的分层缺陷的成因及机理,并通过试验进行验证。发现,铺层结构、模具形式、热匹配等因素对拐角处分层缺陷影响较大。

金刚石复合片合成材料和工艺研究进展

催化剂/粘合剂在金刚石复合片压制过程中用来催化聚晶金刚石颗粒间形成金刚石键,并将聚晶金刚石与碳化钨基体粘结在一起,是金刚石复合片合成的重要材料。传统的钴催化剂/粘合剂在高温钻井作业中不仅会与金刚石热膨胀不匹配从而产生残余应力,还会催化金刚石发生热降解,影响了金刚石复合片的性能。论文阐述了钴催化剂/粘合剂对金刚石复合片合成的影响机理,并总结了前人在改进金刚石复合片合成用催化剂/粘合剂以及合成工艺方面的尝试。研究表明,含碳或硅元素的合金、镍基合金、铌等金属催化剂/粘合剂替代材料以及碳化硅、六方氮化硼、碳酸镁等非金属催化剂/粘合剂替代材料能够通过增强金刚石—基体以及金刚石之间的连结、减少热膨胀不匹配、抑制金刚石石墨化、延缓金刚石氧化等不同方式提高金刚石复合片的耐磨性、抗冲击性和热稳定性。“三层法”、减少碳/钨比、包裹金刚石颗粒等新合成工艺亦能提高金刚石复合片的使用寿命。通过提高金刚石复合片合成的温度和压力、拓宽石墨—金刚石转化条件能够在无催化剂条件下压制金刚石复合片,大幅提升金刚石复合片的硬度、断裂韧性和耐磨性。建立标准化度量指标和测试程序、建立材料数据库和金刚石复合片性能预测模型以及深入探索无催化金刚石复合片合成是金刚石复合片合成未来发展方向。