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Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文)
被引量:
4
1
作者
孙国胜
罗木昌
+5 位作者
王雷
赵万顺
孙艳玲
曾一平
李晋闽
林兰英
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期421-425,共5页
单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的...
单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法 ,其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息 ,其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(10 0 )和蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜 ,在生长的所有样品中均观察到了典型的 3C SiC的TO和LO声子峰 ,在3C SiC/Si材料中 ,这两个声子峰分别位于 970 3cm-1和 796 0cm-1,在 3C SiC/蓝宝石材料中 ,分别位于96 5 1cm-1和 80 1 2cm-1,这一结果表明这两种外延材料均为 3C SiC晶型。利用一个 3C SiC自由膜作为无应力标准样品 ,并根据 3C SiC/Si和 3C SiC/蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量 ,得到 3C SiC中的内应力约分别为 1GPa和 4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反 ,通过比较 3C SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数 ,预期Si衬底上的 3C SiC外延膜受到的应力为张应力 ,而蓝宝石衬底上 3C SiC受到的应力则为压应力。
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关键词
3C-SIC
碳化硅
拉曼光谱
RAMAN光谱
蓝宝石(0001)衬底
晶格
失
配
度
热膨胀系数失配
度
背散射
下载PDF
职称材料
应变异质外延中的柔性衬底技术
被引量:
2
2
作者
张志成
杨少延
等
《金属材料研究》
2002年第2期1-6,共6页
由于材料的晶格常数与热膨胀系数的不同,应变异质外延生长过程中引入大量缺陷,柔性衬底技术就是为了解决这一问题而发展起来的。本文对柔性衬底技术的发展历史进行了简要的回顾,系统地介绍了各种柔性衬底技术的发展现状,包括已经取...
由于材料的晶格常数与热膨胀系数的不同,应变异质外延生长过程中引入大量缺陷,柔性衬底技术就是为了解决这一问题而发展起来的。本文对柔性衬底技术的发展历史进行了简要的回顾,系统地介绍了各种柔性衬底技术的发展现状,包括已经取得的成果以及存在的问题,并简要介绍了柔性衬底技术的理论基础。
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关键词
应变异质外延
晶格
失
配
热膨胀系数失配
柔性衬底
临界厚度
原文传递
题名
Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文)
被引量:
4
1
作者
孙国胜
罗木昌
王雷
赵万顺
孙艳玲
曾一平
李晋闽
林兰英
机构
中国科学院半导体研究所新材料实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期421-425,共5页
基金
国家基础研究专项基金 (G2 0 0 0 0 683 )
国家高技术研究与发展基金 (2 0 0 1AA3 110 90 )资助项目~~
文摘
单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法 ,其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息 ,其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(10 0 )和蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜 ,在生长的所有样品中均观察到了典型的 3C SiC的TO和LO声子峰 ,在3C SiC/Si材料中 ,这两个声子峰分别位于 970 3cm-1和 796 0cm-1,在 3C SiC/蓝宝石材料中 ,分别位于96 5 1cm-1和 80 1 2cm-1,这一结果表明这两种外延材料均为 3C SiC晶型。利用一个 3C SiC自由膜作为无应力标准样品 ,并根据 3C SiC/Si和 3C SiC/蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量 ,得到 3C SiC中的内应力约分别为 1GPa和 4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反 ,通过比较 3C SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数 ,预期Si衬底上的 3C SiC外延膜受到的应力为张应力 ,而蓝宝石衬底上 3C SiC受到的应力则为压应力。
关键词
3C-SIC
碳化硅
拉曼光谱
RAMAN光谱
蓝宝石(0001)衬底
晶格
失
配
度
热膨胀系数失配
度
背散射
Keywords
3C-SiC
Raman spectrum
Si (100)
sapphire (0001)
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
应变异质外延中的柔性衬底技术
被引量:
2
2
作者
张志成
杨少延
等
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
出处
《金属材料研究》
2002年第2期1-6,共6页
文摘
由于材料的晶格常数与热膨胀系数的不同,应变异质外延生长过程中引入大量缺陷,柔性衬底技术就是为了解决这一问题而发展起来的。本文对柔性衬底技术的发展历史进行了简要的回顾,系统地介绍了各种柔性衬底技术的发展现状,包括已经取得的成果以及存在的问题,并简要介绍了柔性衬底技术的理论基础。
关键词
应变异质外延
晶格
失
配
热膨胀系数失配
柔性衬底
临界厚度
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文)
孙国胜
罗木昌
王雷
赵万顺
孙艳玲
曾一平
李晋闽
林兰英
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
4
下载PDF
职称材料
2
应变异质外延中的柔性衬底技术
张志成
杨少延
等
《金属材料研究》
2002
2
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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