热蒸发沉积法制备硫化锌纳米材料的研究进展

硫化锌作为Ⅱ—Ⅵ族直接跃迁的宽带隙半导体发光材料,具有较大的禁带宽度、丰富的发光色彩和优异的红外透过性,广泛应用于光电器件、太阳能电池、红外窗和光催化降解,在光电传感、核辐射探测和医疗影像等领域有广阔的应用前景。热蒸发沉积法是一种重要的制备纳米材料的方法,其灵活多样的实验条件为制备优良性能的纳米硫化锌提供了可能。对热蒸发沉积法制备硫化锌纳米材料的研究进行梳理和总结,主要介绍热蒸发沉积法的反应和生长机制,阐述了原料、衬底和催化剂种类,以及载气类型和流速等重要实验条件对硫化锌纳米材料结构和光学性能的影响。最后,对当前热蒸发法制备硫化锌纳米材料存在的问题及其发展方向进行展望,以期为硫化锌材料制备和研究提供参考。

氧分压对ZnO纳米结构的形貌及光学性能的影响(英文)

利用未采用催化剂的真空热蒸发法合成了不同形貌的硅基ZnO纳米结构,研究了氧分压对纳米ZnO结构及光学性能的影响。研究结果表明氧分压对ZnO纳米结构的形貌及光学性能具有明显的影响,在氧分压为25%、10%和5%时制得的纳米ZnO结构分别为纳米线、纳米带和纳米梳。X射线衍射测试表明制得的不同ZnO纳米材料均为六方纤锌矿结构,并具有明显的c轴择优取向性。采用PL谱对制备纳米结构的光学性能进行了测试。

二维六方氮化硼薄膜的制备及光电特性研究

以六方氮化硼(h-BN)粉末为原料,氩气为携载气体,利用热蒸发沉积法在硅衬底上制备了h-BN二维薄膜。应用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌,发现该方法生长的膜均匀而光滑,其厚度为4 nm,对应十几层的h-BN。利用X射线衍射分析了h-BN薄膜的结构,发现h-BN薄膜主要由(002)晶面排列构成,说明其生长方式为典型的层状生长模式。利用紫外可见光光谱仪测量了其吸收特性,发现该样品在209 nm附近有很强的吸收。最后,研究了h-BN/Si异质结的接触特性和电子输运特性,发现该异质结具有良好的整流特性,在光照下该异质结的光电流显著增大,表明h-BN薄膜具有良好的光电学特性,可用来制备超薄光电子器件。