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海水温升对冷链换热器换热能力影响分析及应对措施 被引量:1
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作者 刘翠波 王慧渊 刘敏华 《化工机械》 CAS 2021年第6期949-952,共4页
针对滨海核电厂海水水温升高的现实情况,分析了海水温升对在运核电厂冷链换热器换热能力的影响,提出了4种应对海水温升的措施,即增大板片数量、采用大角度波纹板片、增大冷侧海水流量和提高热侧出口温度限值,这4种措施可在不同程度上提... 针对滨海核电厂海水水温升高的现实情况,分析了海水温升对在运核电厂冷链换热器换热能力的影响,提出了4种应对海水温升的措施,即增大板片数量、采用大角度波纹板片、增大冷侧海水流量和提高热侧出口温度限值,这4种措施可在不同程度上提高冷链换热器可接受的冷侧海水入口温度值(T_(SEC)′)。 展开更多
关键词 冷链换 海水温升 T_(SEC)′ 热裕量
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基于选区外延法的单片异质集成GaN/Si的研究
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作者 程骏骥 戚翔宇 +4 位作者 王思亮 王鹏 黄伟 胡强 杨洪强 《微电子学》 CAS 2024年第4期558-563,共6页
将GaN器件与Si集成电路进行单片异质集成是当前微电子领域的前沿研究方向之一,而直接从材料定义系统的选区外延法是其中最具潜力的技术途径。针对选区外延法的实施过程中,选区外延GaN的高温过程会严重影响已制Si集成电路功能的问题,提... 将GaN器件与Si集成电路进行单片异质集成是当前微电子领域的前沿研究方向之一,而直接从材料定义系统的选区外延法是其中最具潜力的技术途径。针对选区外延法的实施过程中,选区外延GaN的高温过程会严重影响已制Si集成电路功能的问题,提出一种MOSFET沟道热扩裕量预留技术,并通过理论分析和仿真实验验证了该技术的可行性与有效性。研究结果克服了选区外延法的固有缺陷,能够在实现GaN/Si单片异质集成的同时,保障Si集成电路的功能,为单片异质集成GaN/Si技术的发展提供了有益新思路。 展开更多
关键词 GaN/Si单片异质集成 选区外延 预留技术
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