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深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析
被引量:
3
1
作者
曹建民
吴传良
+1 位作者
沈文正
黄敞
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期280-286,共7页
本文从二维模拟热载流子注入电流入手,讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米SOI/MOSFET’s热载流子效应的影响.模拟结果表明,对于不同的硅层厚度,沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同...
本文从二维模拟热载流子注入电流入手,讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米SOI/MOSFET’s热载流子效应的影响.模拟结果表明,对于不同的硅层厚度,沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用,有时甚至是决定性的作用.沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样,是影响薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应的重要因素,这也就解释了以往文献中,随着硅层减薄,沟道电场增大,热载流子效应反而减小的矛盾.模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内(60~100nm),器件热载流子效应达到最小值,而且在这一硅层范围内,热载流子效应对硅层厚度、栅氧厚度以及掺杂浓度的变化不敏感,这对高性能深亚微米薄层SOI/MOSFET’s设计具有重要的指导意义.
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关键词
SOI/MOSFET
VLSI
半导体器件
热载子效应
下载PDF
职称材料
反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用
被引量:
1
2
作者
张炯
李瑞伟
钱伟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期287-290,共4页
本文研究了nMOSFET’s器件的反向关态电流(Iofr)特性.我们发现,刚受过热载流子应力的器件Iofr呈现一个突然的增高,而在随后的一段时间里(我们定义其为弛豫时间)又呈指数下降,这一现象是由于在热载流子应力过程...
本文研究了nMOSFET’s器件的反向关态电流(Iofr)特性.我们发现,刚受过热载流子应力的器件Iofr呈现一个突然的增高,而在随后的一段时间里(我们定义其为弛豫时间)又呈指数下降,这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的.所以我们认为Iofr不但可以作为热空穴注入的有力证据,而且可以作为热空穴研究的有效手段.
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关键词
IC
NMOSFET
反向关态电流
热
载
子
蜕
效应
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职称材料
题名
深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析
被引量:
3
1
作者
曹建民
吴传良
沈文正
黄敞
机构
西安微电子技术研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期280-286,共7页
文摘
本文从二维模拟热载流子注入电流入手,讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米SOI/MOSFET’s热载流子效应的影响.模拟结果表明,对于不同的硅层厚度,沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用,有时甚至是决定性的作用.沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样,是影响薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应的重要因素,这也就解释了以往文献中,随着硅层减薄,沟道电场增大,热载流子效应反而减小的矛盾.模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内(60~100nm),器件热载流子效应达到最小值,而且在这一硅层范围内,热载流子效应对硅层厚度、栅氧厚度以及掺杂浓度的变化不敏感,这对高性能深亚微米薄层SOI/MOSFET’s设计具有重要的指导意义.
关键词
SOI/MOSFET
VLSI
半导体器件
热载子效应
Keywords
Silicon on insulator technology
Thin film devices
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TN470.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用
被引量:
1
2
作者
张炯
李瑞伟
钱伟
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期287-290,共4页
基金
国家"八五"和"九五"计划项目
文摘
本文研究了nMOSFET’s器件的反向关态电流(Iofr)特性.我们发现,刚受过热载流子应力的器件Iofr呈现一个突然的增高,而在随后的一段时间里(我们定义其为弛豫时间)又呈指数下降,这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的.所以我们认为Iofr不但可以作为热空穴注入的有力证据,而且可以作为热空穴研究的有效手段.
关键词
IC
NMOSFET
反向关态电流
热
载
子
蜕
效应
Keywords
Crystal lattices
Simulation
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析
曹建民
吴传良
沈文正
黄敞
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
3
下载PDF
职称材料
2
反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用
张炯
李瑞伟
钱伟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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职称材料
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