深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析

本文从二维模拟热载流子注入电流入手，讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的影响．模拟结果表明，对于不同的硅层厚度，沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用，有时甚至是决定性的作用．沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样，是影响薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的重要因素，这也就解释了以往文献中，随着硅层减薄，沟道电场增大，热载流子效应反而减小的矛盾．模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内（６０～１００ｎｍ），器件热载流子效应达到最小值，而且在这一硅层范围内，热载流子效应对硅层厚度、栅氧厚度以及掺杂浓度的变化不敏感，这对高性能深亚微米薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ设计具有重要的指导意义．

反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用

本文研究了ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件的反向关态电流（Ｉｏｆｒ）特性．我们发现，刚受过热载流子应力的器件Ｉｏｆｒ呈现一个突然的增高，而在随后的一段时间里（我们定义其为弛豫时间）又呈指数下降，这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的．所以我们认为Ｉｏｆｒ不但可以作为热空穴注入的有力证据，而且可以作为热空穴研究的有效手段．