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在深亚微米MOS技术中HC退化与ESD的相互作用
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作者 施周渊 赵守臣 汤玉生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第5期414-417,427,共5页
述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生... 述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生如何优化 展开更多
关键词 MOS静电释放(ESD) 热载流子(hc) 沟道热载流子(Chc)
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