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GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结构界面光激光发过剩电子的热辅助隧穿俘获
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作者 何礼熊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期253-257,共5页
在７１—１６３Ｋ的不同稳定温度下，对ＧａＡｓ－Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度，作了１０－５－１０３秒时间范围的瞬变测量．一个包含了热声子辅助隧穿，Ｓｉ掺杂的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层Ｄ... 在７１—１６３Ｋ的不同稳定温度下，对ＧａＡｓ－Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度，作了１０－５－１０３秒时间范围的瞬变测量．一个包含了热声子辅助隧穿，Ｓｉ掺杂的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层ＤＸ中心俘获势垒分布和隧穿后电子的能量弛豫过程的理论计算可以定量地解释实验结果． 展开更多
关键词 GaAs-AIxGa1-xAs 砷化镓 砷化镓铝 异质结构界面 光激发过剩电子 热辅助隧穿俘获
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