基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究

系统研究了快速热退火对锌扩散的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探测器的影响。利用电化学电容电压和二次离子质谱技术分析了退火前后Zn和净受主的浓度分布,结果表明退火过程会影响杂质浓度,但不影响扩散深度。制备了不同退火条件的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探测器。器件测试反映,未退火的探测器在260~300K具有更低的器件电容和更高的激活能。通过暗电流成分拟合对器件暗电流机制进行分析,未退火器件表现出更低的肖克利-里德-霍尔产生复合电流和扩散电流,因而室温下未退火器件具有更高的峰值探测率。为了制备高性能低掺杂吸收层结构的平面型InGaAs探测器,快速热退火是不必要的工艺。

304不锈钢热退火酸洗产品硬度异常研究分析

目前,304不锈钢热退火酸洗产品出现硬度异常升高现象,通过检查成分和热轧工艺,以及热处理工艺都没有异常。经相关研究人员详细分析,确定为破磷矫直机张力过大导致。文章针对张力系数进行研究和分析,总结了张力临界值,并且规定了破磷矫直机使用最大张力值,有效改善了硬度异常的问题。

快速热退火前后ZnO及ZnO/Al薄膜性质的研究

鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求.实验中ZnO及 ZnO/Al薄膜用直流反应磁控溅射法制备.选用金属Zn及金属合金Zn/Al靶.经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR分光光度计、四探针测方电阻等,研究了经不同温度RTA后ZnO及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方电阻、电阻率、可见光透过率等的变化.对传统热退火和RTA进行了比较:经RTA 600℃后电阻率减小5～9个数量级,达1×10-3Ω·cm.

热退火对KDP晶体微结构的影响

用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著。

利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术。先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响。

非晶硅薄膜的快速热退火机理研究

采用RTA方法对PECVD沉积的a-S i:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法。通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理。研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用。

热退火对太阳电池用多晶硅特性的影响

对多晶硅片进行三步退火处理,用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测硅片退火前后氧碳含量及少子寿命,并对单晶硅片做同样处理进行比较。实验发现:经三步退火后,多晶硅比单晶硅氧碳含量下降的幅度大,这表明多晶硅内部形成的氧沉淀多,其体内的高密度缺陷如晶界、位错等对氧沉淀的形成有促进作用。多晶硅与单晶硅少子寿命大大提高,可能是由于高温退火后晶体内部形成氧沉淀及缺陷的络和物可以作为电活性杂质的吸除中心,从而减少了分散的载流子复合中心,提高了硅片的少子寿命。变化趋势的不同与晶体内部结构有关。

热退火对KDP晶体损伤阈值的影响(英文)

研究了不同退火温度下磷酸二氢钾(KDP)晶体的透过光谱和损伤阈值的变化。发现热退火对晶体的透过光谱没有影响,退火温度分别为140℃和160℃时晶体的损伤阈值没有明显变化。但是在150℃下,晶体的损伤阈值提高了约1.4倍。实验证明150℃下的热退火对提高晶体的损伤阈值效果最好。

快速热退火对纳米晶粒SnO2薄膜性质的影响

以SnC l2.2H2O及无水乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法在快速热退火下制备了SnO2纳米薄膜,研究了快速热退火(RTA)对SnO2薄膜性质的影响.采用X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),研究了薄膜的晶粒尺寸、微结构、表面形貌与快速热退火条件的关联,用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和光致发光研究了薄膜的光学性质.结果表明,快速热退火(RTA)温度对薄膜的光学性质、晶粒尺寸和薄膜的结构形态均有较大的影响.

低温快速热退火晶化制备多晶硅薄膜

利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入特制的快速热退火炉中进行退火。利用X射线衍射仪(XRD)分析退火后的薄膜晶体结构,用电导率测试仪测试其暗电导率。研究结果表明,利用快速热退火晶化能够使非晶硅薄膜在较低温度下,在较短时间内发生晶化。

InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱

通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaNGaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响。观测到退火后InGaNGaN量子阱的拉曼光谱E2,A1(LO)模式的峰位置出现了红移,而且该振动峰的半高宽也有微小变化。温度升高退火效果更明显。退火使量子阱内应力部分消除,同时In,Ga原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化。在常温和低温下的光荧光谱表明,退火处理的量子阱发光主峰都出现了红移;而且低温退火出现红移,退火温度升高相对低温退火出现蓝移;同时在低温荧光光谱里看到经过退火处理后原发光峰中主峰旁边弱的峰消失了。讨论了退火对多量子阱光学性质的影响。

热退火诱导纳米银膜形貌变化对表面等离激元共振特性的影响

采用磁控溅射技术制备并通过不同温度的快速热退火得到了不同表面形貌的纳米银膜。利用XRD,SEM和紫外-可见-近红外透射光谱等技术研究了纳米银膜的结构、表面形貌与光学性质。实验结果表明,随着退火温度的升高,银膜开口面积分数、银岛(纳米粒子)间距增大,长宽比减小,银岛由各向异性的蠕虫状变成各向同性的纳米球;表面等离激元共振带发生连续的蓝移,半高宽变窄。分析表明,纳米银膜的表面等离激元共振特性可以通过热退火诱导的表面形貌变化实现调整。

热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响

以氮气为反应气体；用射频反应溅射方法制备了ＡＩＮ薄膜，结合ＸＰＳ和ＸＲＤ表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响．实验表明，热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径，样品经７００℃退火后，发射电流的涨落从未退火前的１３５μＡ下降到２０μＡ；并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性．文中认为，退火处理造成了薄膜结构的变化，引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变，进而影响了其发射特性．

热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响

利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm。当经高温退火后,ZnO薄膜的晶粒尺寸明显增大,同时伴随晶粒尺寸分布非均匀化,较大的尺寸可达400 nm,而较小的尺寸仅为50 nm。此外,椭偏测量表明:椭偏参数在不同的退火温区的变化呈现明显差别;当退火温度高于850℃时,薄膜的结构有明显的变化。

离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器

采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。

快速热退火在硅中引入的缺陷的研究

快速热退火(RTA)将在n型硅中引入深能级缺陷。缺陷的种类和浓度随退火温度的变化而变化。由于这些缺陷的存在,使少数载流子寿命显著降低。这些缺陷可以分成两类。一类是与被冻结在晶格缺陷上的金属杂质有关,经二步退火后,这些缺陷能在650℃附近退火消失。另一类是晶格的本征缺陷,二步退火并不能消除这类缺陷。研究表明,这类缺陷与位错有关。

Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响

利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备的p-GaN薄膜中，制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描显微镜（SEM）和振动样品磁强计（VSM）研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形貌和磁性能的影响。研究结果表明：Ni离子注入未在GaN晶格中引入第二相，中等剂量的Ni离子辐照GaN样品在室温下具有顺磁性，800℃热退火后样品的磁性由顺磁性转化为铁磁性，具有较高的饱和磁化强度。热退火后p-GaN的晶格损伤恢复和空穴载流子浓度增加，因此800℃热退火样品的铁磁性转变是由于Ni离子的自旋电子与空穴栽流子的相互作用增强引起的。

快速热退火制备多晶硅薄膜的研究

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅薄膜,然后在快速热退火炉中进行退火。研究了升温速率、降温速率对晶化的影响。结果表明:退火中,升温速率越大,越不利于晶核的形成;降温速率较小时(100℃/60s),形成的晶粒尺寸较小,晶化情况较好,晶化率估算达64.56%。

硅中高剂量锗离子注入的快速热退火研究

报道了利用高剂量 Ge^+注入制备 SiGe/Si 异质结的工作。100keV、5.3×10^(16)/cm^2Ge^+注入(001)SIMOX膜中,峰值Ge^+浓度接近20％。样品在不同温度下进行不同时间的快速热退火,X 射线衍射分析和背散射沟道谱研究表明:1000℃退火0.5h,退火效果较好;退火时间过短或过长,退火温度过高或过低,都将影响退火效果。

快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响

用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV).