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超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展
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作者 张弘 范志东 +1 位作者 田书凤 彭英才 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2005年第6期673-679,共7页
在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.
关键词 SiOxny栅介质 热退火n化 等离子体氮化 化学气相沉积 氮注入
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