热释电型红外焦平面阵列成像模拟实验研究

讨论了热释电型红外焦平面阵列成像系统及基本的信号处理 ,包括信号差分处理、非均匀性校正等 ,利用自扫描光电二极管列阵 (SSPA)对热释电型红外焦平面阵列成像系统进行了模拟实验 ,获得了满意的图像 .

非制冷热释电红外焦平面阵列读出电路的新型结构(英文)

提出一种带有列共用结构的电容跨阻放大器(CTIA)读出结构,以实现高线性度、低功耗、低噪声和较大输出范围。该结构可以降低像素结构的复杂性,提高电路设计的灵活度。电路采用奇偶行交替连续读出的方式。采用0.35μm DPTM工艺,利用该结构设计一个原型芯片。电源电压为5 V,每列CTIA结构功耗约为29.3μW,线性度为99.98%。该原型芯片可以被扩展为320×240阵列。

热释电红外焦平面阵列驱动电路的设计

讲述了热释电红外焦平面阵列的工作原理以及驱动信号的重要作用,并举例说明了32 0×2 4 0热释电红外焦平面阵列驱动电路的要求。分析了利用VH DL 语言对该阵列驱动信号编程的思路。设计完成后成功地对其进行了计算机模拟仿真。实验结果证明了用VHDL 程序设计电路的有效性。

热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的研究

采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)技术,在Pt/Ti/SiO2/Si3N4/SiO2/Si基片上研制出具有优良热释电性能的BST,PLT和PZT铁电薄膜,它们是制备单片式非致冷红外焦平面阵列的优选探测材料。解决了制备热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的关键技术,成功研制出8元、9元、10元线列和8×8元阵列,器件电压响应率(RV)达8.6×103V/W。

室温型热释电红外探测器焦平面列阵新进展

文中介绍了目前室温工作的热释电红外探测器焦平面列阵的国外进展，混合型铁电陶瓷焦平面列阵已进入批量生产阶段，这类焦平面列阵制作的热像仪已于１９９５年进入商品市场，而单片式铁电薄膜红外探测器焦平面列阵还处在实验室研究阶段。

硅基非致冷热释电红外焦平面阵列技术的新进展

文章主要介绍硅基非致热释电红外焦平面阵列典型结构，制备工艺以及最新进展。

非致冷热电型红外焦平面阵列用探测材料的研究进展

归纳了非致冷红外焦平面阵列(UFPA)技术自提出、发展直至趋于成熟以来,国内外曾研究报道过的近百种热电型探测材料,对其中前景看好的Si、Ti、VO_x等微测辐射热计材料和(Ba、Sr)TiO_3等热释电材料进行了重点评述。

热释电非制冷红外焦平面现状及发展趋势

一维和二维阵列的热释电非制冷红外焦平面非常适合应用于热成像。混合式的BST铁电探测器降低了成本,市场潜力巨大。分析了热释电非制冷红外焦平面阵列探测技术的优势,介绍了热释电非制冷红外探测器工作原理及热释电非制冷红外焦平面阵列对探测材料的要求,指出了混合式及单片式热释电非制冷红外焦平面阵列发展趋势。制备高一致性和高性能的大阵列的探测元是发展非制冷红外焦平面的关键,针对我国在热释电非制冷红外焦平面阵列研究方面存在的问题,提出了下一步研究的方向及重点。

混成式热释电非制冷红外焦平面探测器研究

热释电非制冷红外焦平面探测器在军民领域具有广阔的应用前景。为了实现探测器的国内工程化研制,采用混成式技术,成功研制了基于锆钛酸铅(PZT)铁电陶瓷材料,像元尺寸为35μm×35μm,列阵规模为320×240元的非制冷红外焦平面探测器。通过自主设计,研发的非制冷焦平面测试平台,得到了此器件的基本性能参数平均电压响应率1.1×105V/W,平均探测率5.6×107cm·Hz1/2·W-1,并实现了该探测器热成像。结合实际的研究工作,较为系统地介绍和讨论了热释电非制冷红外焦平面研制过程中各项关键技术。在器件光电响应测试数据分析的基础上,进一步提出下一阶段研究工作的重点和器件性能优化的方向。

非制冷热释电红外焦平面

叙述了室温下工作的，或在半导体温差电制冷条件下，近室温工作的热释电红外焦平面列阵的最新进展，所用的材料是钛酸锶钡铁电陶瓷。列阵规模已达到２４５×３２８元，中心间距为４８．５μｍ，与硅读出集成电路料装连结的热成像系统的噪声等效温差为０．０８Ｋ（ｆ／１光学透镜），焦平面列阵的制作工艺的９５％与标准的硅工艺兼容。

混成式热释电非制冷红外焦平面探测器技术

介绍了混成式热释电焦平面探测器的基本结构和主要制备工艺流程以及国内外研究现状。混成式热释电焦平面探测器的关键制备技术主要包括热释电材料的优选与减薄技术,铟柱倒装焊混成技术、热隔离技术和读出集成电路技术等。指出了混成式热释电焦平面探测器的发展趋势。

自积分型读出电路构成红外焦平面阵列的性能分析

针对自积分型读出电路和64元线列InSb红外探测器构成的焦平面阵列的性能,进行了分析、推导和计算,得出了焦平面阵列各项性能指标的表达式及其同探测器、读出电路参数之间的关系,并验证了部分结论。分析结果与其他几种形式读出电路构成的焦平面阵列有通用性。

锑化铟红外焦平面阵列探测器的热应力结构优化

在液氮冲击实验中,锑化铟红外焦平面阵列探测器中各层材料之间线膨胀系数的不同将导致热失配产生,过大的热失配应力将引起锑化铟芯片断裂失效。为了降低热失配对锑化铟芯片的影响,基于弹性多层体系热应力计算理论,借鉴平衡复合物结构设计方法,优化平衡复合物结构上表面的热应变,使得平衡复合物结构中硅读出电路上表面的热应变尽可能接近锑化铟芯片下表面的热应变,从而大幅降低锑化铟芯片中的热应力。考虑器件加工工艺成熟度,经一系列计算表明:当硅读出电路的厚度取25μm时,平衡复合物结构中硅读出电路上表面的热应变与InSb芯片下表面的热应变最为接近,此时锑化铟芯片中的拉应力最小。锑化铟芯片中拉应力的大幅降低,将为消减液氮冲击中锑化铟芯片的碎裂几率提供可以信赖的结构设计方案和实现途径。

热释电红外焦平面初探

热释电焦平面是一种非致冷型红外焦平面。本文简述其特点、应用和发展史，介绍了器件的工作原理，从设计角度对电荷注入结构和信号读出技术等作了一些实际考虑，提出了研制中必须密切注意的若于关键性技术问题。

红外焦平面热成像技术的发展

文中介绍了国外焦平面热成像技术发展的概况,阐述了发展中需要考虑的一些问题及今后的发展趋势。

红外焦平面阵列技术的发展现状

文章评述各种红外焦平面阵列技术的发展现状 ,其中 ,光量子型红外焦平面阵列包括Ⅱ -Ⅵ族HgCdTe三元化合物阵列、Ⅲ -Ⅴ族InSb二元、InGaAs和GaAiAs三元化合物阵列、PtSi和非本征硅阵列技术 ,热型红外焦平面阵列包括Si、金属Ti、VOx 微测热辐射计、多晶硅热电堆和钡锶钛 (BST)等热释电 -铁电阵列 ,展望了该技术的发展前景。

非制冷红外焦平面阵列进展

非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。

非致冷红外焦平面阵列研究进展

主要介绍了在室温下工作的红外焦平面的研究进展。非致冷红外焦平面阵列的研制主要分为两大类，即热释电焦平面阵列以及测辐射热红外焦平面阵列。文中较为详细地介绍这两种探测器的材料及结构。

320×240元非制冷红外焦平面阵列读出电路

采用1.2 μm DPDM n阱CMOS工艺设计并研制成功320×240热释电非制冷红外焦平面探测器读出电路.该读出电路中心距为50 μm,功耗小于50 mW,主要由X、Y移位寄存器、列放大器、相关双采样电路等构成,采用帧积分工作方式.经测试,研制的读出电路性能指标达到设计要求.给出了单元读出电路的电路结构、工作过程和参数测试结果.采用该读出电路和热释电红外探测阵列互联后,获得了良好的红外热像.