-
题名三维功率MOSFET器件的热可靠性设计
- 1
-
-
作者
林洁馨
杨发顺
马奎
丁召
傅兴华
-
机构
贵州大学大数据与信息工程学院
-
出处
《现代电子技术》
北大核心
2019年第12期81-85,共5页
-
基金
国家自然科学基金地区科学基金项目(61664004)~~
-
文摘
基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100V,60A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。
-
关键词
热可靠性设计
MOSFET
三维集成技术
功率器件
硅通孔布局
散热
热阻降低
-
Keywords
thermal reliability design
MOSFET
3D integration technology
power device
through silicon via layout
heat dissipation
thermal resistance reduction
-
分类号
TN626.34
[电子电信—电路与系统]
-