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题名焊层空洞对IGBT芯片温度的影响
被引量:2
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作者
郝建红
苏立昌
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机构
华北电力大学现代电子科学研究所
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出处
《现代电子技术》
北大核心
2018年第3期151-156,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61372050)~~
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文摘
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良的主要因素,基于IGBT的七层结构,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型并对其进行热分析,研究焊层空洞对IGBT芯片温度的影响。对比了有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析了空洞类型、空洞大小、空洞形状、空洞数量及空洞分布对IGBT芯片温度分布的影响。研究结果表明:芯片焊层空洞对芯片温度的影响较大,衬板焊层空洞对芯片温度的影响较小;贯穿型空洞对芯片温度的影响要大于非贯穿型空洞;单个空洞越大,IGBT芯片温度越高;相同形状的空洞,处于边角位置比处于焊层内部对芯片温度影响大;多个空洞分布越集中,芯片温度越高;焊层缝隙对芯片温度的影响要小于空洞对芯片温度的影响。因此,在封装过程中应避免出现芯片焊层空洞,以提高IGBT的可靠性。
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关键词
焊层空洞
IGBT模块
有限元
芯片焊层
热分析
芯片温度
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Keywords
solder void
IGBT module
finite element
chip solder layer
thermal analysis
chip temperature
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分类号
TN32-34
[电子电信—物理电子学]
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