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16位逐次逼近A/D转换器熔丝误差修调技术
被引量:
2
1
作者
万辉
马丹
+2 位作者
张靖
张颜林
杨平
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期363-366,371,共5页
提出了一种提高16位逐次逼近(SAR)A/D转换器精度的熔丝误差修调技术。该技术用于提高A/D转换器内部核心模块—16位DAC的精度,从而达到提高整个A/D转换器精度的目的。电路采用标准CMOS工艺流片。测试结果显示,熔丝误差修调后,常温下,电路...
提出了一种提高16位逐次逼近(SAR)A/D转换器精度的熔丝误差修调技术。该技术用于提高A/D转换器内部核心模块—16位DAC的精度,从而达到提高整个A/D转换器精度的目的。电路采用标准CMOS工艺流片。测试结果显示,熔丝误差修调后,常温下,电路的INL为2.5 LSB,SNR为88.8 dB,零点误差EZ为1.1 LSB;修调后,A/D转换器有效位数ENOB从12.56位提高到14.46位。
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关键词
逐次逼近
A/D转换器
熔丝误差修调
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职称材料
题名
16位逐次逼近A/D转换器熔丝误差修调技术
被引量:
2
1
作者
万辉
马丹
张靖
张颜林
杨平
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
模拟集成电路重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期363-366,371,共5页
基金
模拟集成电路重点实验室基金资助项目"高精度逐次逼近结构电荷重分布型ADC修调技术研究"(9140C0901091001)
文摘
提出了一种提高16位逐次逼近(SAR)A/D转换器精度的熔丝误差修调技术。该技术用于提高A/D转换器内部核心模块—16位DAC的精度,从而达到提高整个A/D转换器精度的目的。电路采用标准CMOS工艺流片。测试结果显示,熔丝误差修调后,常温下,电路的INL为2.5 LSB,SNR为88.8 dB,零点误差EZ为1.1 LSB;修调后,A/D转换器有效位数ENOB从12.56位提高到14.46位。
关键词
逐次逼近
A/D转换器
熔丝误差修调
Keywords
Successive approximation register
A/D converter
Fuse error correction
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
16位逐次逼近A/D转换器熔丝误差修调技术
万辉
马丹
张靖
张颜林
杨平
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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职称材料
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参考文献
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