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组分对SI-GaAs单晶特性的影响 被引量：1
1
作者 谢自力 夏德谦 +1 位作者 陈宏毅 朱志明 《微细加工技术》 1993年第4期40-43,共4页
本文报道了从不同组分熔体中生长半绝缘砷化镓(SI-GaAS)单晶的实验。结合其国内外组分与电学特性研究报道,分析了不同组分熔体生长的SI-GaAs单晶特性。
关键词 单晶 半绝缘 砷化镓 外延生长 熔体组份
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