熔渗温度及退火温度对W-Cu电子封装材料导热性能的影响

研究了不同熔渗温度及退火温度对W 15Cu电子封装材料热导率的影响 ,结果表明 :对W 15Cu而言 ,使用无氧铜在 14 0 0℃熔渗 ,热导率最高 ,K值可达 193 .5W /(m·K) ;而在 80 0℃下经退火处理 ,热导率可得到明显改善。

熔渗反应法制备MoSi_(2-)SiC复合材料性能的影响因素

用熔渗反应无压烧结技术制备了MoSi2_-SiC复合材料,对制备过程的影响因素进行了分析。研究结果表明:在渗硅温度为1450℃时,反应生成颗粒细小、弥散分布的SiC相,从而使得材料具有较高的抗弯强度;当渗硅温度升高至1750℃时,生成的SiC相发生再结晶长大,使得材料强度下降。成型压力对熔渗硅样品强度影响不大。MoSi2_-SiC复合材料的抗弯强度随SiC相含量的增加在增强相含量为40%时存在一极大值,这是由于当SiC数量超过40%后,SiC粒子的团聚、长大使弥散强化作用降低,从而使材料的断裂强度降低;复合材料电阻率随第二相含量的增加而增加。

熔渗法制备Ti_3SiC_2材料及性能影响因素

采用熔渗反应烧结技术制备了Ti3SiC2材料,并对影响制备材料性能的因素进行了分析.研究结果表明:在熔渗温度为1500℃、熔渗高度为6mm时,最佳熔渗保温时间应为30min;随着制备试样中Ti3SiC2相的逐渐增多,材料的抗弯性能明显提高;随着试验压力的增加,Ti3SiC2材料的摩擦因数和磨损率均呈现先增加后减小的趋势,在试验压力为30N时摩擦因数最大,压力为40N时磨损率最大;摩擦表面连续氧化膜的生成有助于减轻Ti3SiC2材料的磨损.

工艺制度对反应烧结SiC耐磨材料性能与结构的影响

通过研究熔渗温度和时间及烧成工艺制度的不同对反应烧结SiC耐磨材料性能与结构的影响,确定最佳的工艺制度。分析了样品的体积密度、开口气孔率、显微硬度、磨损量等物理性能。采用扫描电子显微镜、能谱仪及X射线衍射仪对样品的断口形貌、内部成分和结构进行了表征。发现反应烧结碳化硅在1430℃保温3h,烧成温度1550℃保温2h这种工艺制度下,制备出体积密度为2.73g/cm3,硬度为2917.67hv、磨损量为0.0018g的陶瓷材料。

叠层缝合结构C/C-SiC复合材料微观结构与弯曲性能

为了满足高超音速飞行器热结构部件材料的需求,采用化学气相沉积法(CVD)和反应熔渗法(RMI)混合工艺制备了叠层缝合C/C-SiC复合材料,研究C/C多孔体密度和熔渗温度对C/C-SiC复合材料微观结构和弯曲性能的影响。结果表明:C/C多孔体孔径呈双峰分布,孔体积随C/C多孔体密度增加而降低。C/C-SiC复合材料由SiC、C及残余Si相组成。C/C-SiC复合材料弯曲强度随熔渗温度的升高而增加;1650℃制备的C/C-SiC复合材料弯曲强度随C/C多孔体密度升高先增加后略有减小,而1750℃制备C/C-SiC复合材料弯曲强度随C/C多孔体密度升高而升高。当C/C多孔体密度为1.55 g/cm^(3),熔渗温度为1750℃时,制备的C/C-SiC复合材料弯曲强度最高为253 MPa。在弯曲载荷作用下,C/C-SiC复合材料的位移−载荷曲线呈现“阶梯型”断裂行为。

全长纤维针刺C/C-SiC复合材料的力学与热扩散性能

采用全长纤维针刺结构预制体,利用反应熔渗法制备了C/C-SiC复合材料,系统研究了复合材料的微观结构、弯曲性能和热扩散性能。结果表明,熔渗温度1 650-1 850℃条件下均可得到致密的C/C-SiC复合材料,提高熔渗温度可促进Si-C反应,降低残余Si含量。C/C-SiC复合材料的弯曲强度随熔渗温度升高而增大,且断裂模式表现出明显的假塑性,1 750℃制备的复合材料弯曲强度可达229±17 MPa。C/C-SiC复合材料面内方向热扩散系数明显高于层间方向,SiC含量的增加及非均质孔隙的存在均可促进复合材料的热扩散能力。