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高速CMOS模拟集成电路中的静电保护电路设计 被引量：1
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作者 吴鹏 何乐年 陈曦 《江南大学学报（自然科学版）》 CAS 2005年第1期19-22,共4页
分析了静电放电(ESD)保护的基本原理,指出了传统的用于模拟电路的 ESD保护电路在高速电路应用中的局限性.提出了在端口的栅极接地NMOS管和栅极接电源 PMOS管的基础上,加上电源与地之间的高速静电泻放回路(片上保护)的新电路结构.仿真结... 分析了静电放电(ESD)保护的基本原理,指出了传统的用于模拟电路的 ESD保护电路在高速电路应用中的局限性.提出了在端口的栅极接地NMOS管和栅极接电源 PMOS管的基础上,加上电源与地之间的高速静电泻放回路(片上保护)的新电路结构.仿真结果表明,该电路满足USB2.0高速接口电路的ESD保护要求.试验测试结果表明该 ESD保护电路在人体模式下的击穿电压在正负2 500 V以上,具有实际的应用意义. 展开更多
关键词 静电放电保护 人体模型 片上保护 栅极接地的NMOS
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